Resultados: 250
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 45,691En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 7.6 A 19.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W 53,820En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 96.3 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 3.4mOhm 10Vgs 100A 1,271En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 163 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 8,336En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 17.9 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A 2,446En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 7,023En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 123 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 56.4 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W 10,861En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 59 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 33.5 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 80A 3,466En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 13.5 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 41.3 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 4,129En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 52.7 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 33.3 nC - 55 C + 150 C 2.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 30,264En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000
Si SMD/SMT V-DFN3030-8 N-Channel, NPN 2 Channel 60 V 8.8 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 13.9 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A 2,709En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 13.5 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 41.3 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 3,619En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 29.5 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 53.7 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3.7mOHm 10V 100A 4,976En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 20.9 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A 6,935En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 29.1 nC - 55 C + 175 C 2.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 3,115En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 16.3 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 38.1 nC - 55 C + 175 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 2,008En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 124.3 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 31V-40V 10,706En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 38.5 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 40En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 2,925En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT V-DFN3030-K-8 N-Channel 2 Channel 30 V 30 A 11.1 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 20 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 1,800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 414En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 98 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 36.3 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K 52En existencias
10,000Se espera el 15/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 11.6 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 14.2 nC - 55 C + 175 C 2.35 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 1,768En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 95 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A 2,381En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 83 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel