Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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BSC110N06NS3 G
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB027N10N3 G
Infineon Technologies
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IPB027N10N3 G

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726-IPB027N10N3G

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$4.97

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$2.95

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Infineon Technologies
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NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

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IPB090N06N3 G

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies

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BSC076N06NS3 G

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Infineon Technologies
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BSC050N04LS G

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Infineon Technologies

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BSZ440N10NS3 G
Infineon Technologies
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BSZ440N10NS3 G

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Infineon Technologies

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BSC059N04LS G
Infineon Technologies
1: $1.21
5,036En existencias
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BSC059N04LS G

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726-BSC059N04LSG

NRND

Infineon Technologies

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$0.296

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB037N06N3 G
Infineon Technologies
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879En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB037N06N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB037N06N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

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879En existencias

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$2.78

$1.78

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Envase tipo carrete

$0.88

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BSZ050N03LS G
Infineon Technologies
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6,041En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ050N03LS G

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726-BSZ050N03LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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6,041En existencias

Cinta cortada

$1.03

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$0.232

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TSDSON-8

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40 A

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0902NS
Infineon Technologies
1: $1.28
4,937En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0902NS

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726-BSC0902NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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$1.28

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$0.329

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
1: $2.72
15,982En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC060N10NS3 G

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NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

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15,982En existencias

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$2.72

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC265N10LSF G
Infineon Technologies
1: $1.50
2,155En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC265N10LSF G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC265N10LSFG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

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2,155En existencias

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100 V

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IPB072N15N3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPB072N15N3 G

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

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1,731En existencias

Cinta cortada

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$2.08

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC019N04NS G
Infineon Technologies
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BSC019N04NS G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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+ 150 C

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35 nC

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1.6 mOhms
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2 mOhms
2.2 mOhms
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2.7 mOhms
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5.3 mOhms

7 nC
8.7 nC
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9.5 nC
9.6 nC
10 nC
10.4 nC
12 nC
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31 nC

2.5 W
25 W
26 W
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30 W
35 W
37 W
38 W
48 W
50 W
57 W
63 W
69 W
71 W
74 W
78 W
79 W
83 W
96 W