Small Signal Automotive MOSFETs

Nexperia Small-Signal Automotive MOSFETs offer performance reliability with full AEC-Q101 compliance. Nexperia offers a broad portfolio of Small-Signal MOSFETs, with drain-source on-state resistance as low as 15mΩ, up to 6A maximum drain current, and drain-source voltage options from 20V to 100V. These Nexperia devices are offered in various package types for design flexibility, with leaded and leadless DFN options. 

Resultados: 59
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 4A
Hoja de datos
4,486Se espera el 10/9/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 12 nC - 55 C + 150 C 1.65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 3A
Hoja de datos
8,880En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4.4 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 9.2 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V .8A
Hoja de datos
23,924Se espera el 2/4/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 800 mA 380 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 466 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 5.5A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 5.3 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 8A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 30 V 11.3 A 16 mOhms - 12 V, 12 V 400 mV 36 nC - 55 C + 150 C 3.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 20V 7A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 7 A 22 mOhms - 12 V, 12 V 400 mV 17 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 5A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 30V 4.7A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 30 V 4.7 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 26 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 3.8A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 3.8 A 72 mOhms - 12 V, 12 V 750 mV 5 nC - 55 C + 175 C 1.95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel