Small Signal Automotive MOSFETs

Nexperia Small-Signal Automotive MOSFETs offer performance reliability with full AEC-Q101 compliance. Nexperia offers a broad portfolio of Small-Signal MOSFETs, with drain-source on-state resistance as low as 15mΩ, up to 6A maximum drain current, and drain-source voltage options from 20V to 100V. These Nexperia devices are offered in various package types for design flexibility, with leaded and leadless DFN options. 

Resultados: 99
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 80V 3.2A 775En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 80 V 9.8 A 81 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 18.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 60V 2.2A 6,971En existencias
12,000Se espera el 31/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2.2 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 11 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 5.5A 2,966En existencias
6,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 60 V 14 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 9 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 60V 2.5A 68En existencias
3,000Se espera el 7/6/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 60 V 3.1 A 123 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 7.4 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 60V 4.7A 62En existencias
150,000Se espera el 7/6/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-457-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4.7 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 9 nC - 55 C + 175 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 4A 1,191En existencias
3,000Se espera el 30/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 12 nC - 55 C + 150 C 1.65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 2.1A 14,980En existencias
18,000Se espera el 17/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 5.7 A 210 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 3.8 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 20V 7.3A 7En existencias
15,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 30 A 25 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 15 nC - 55 C + 175 C 8.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 80V 2.8A
3,000Se espera el 13/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 80 V 4.1 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 14.9 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 20V 26A 2,800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 26 A 14 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 9.8 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB50XN/SOT1220/SOT 1220 1,470En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020M-6 N-Channel 1 Channel 110 V 9.9 A 70 mOhms - 12 V, 12 V 1.4 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.7A 15,426En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 5.7 A 46 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 1.31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 60V 8A 624En existencias
36,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 60 V 8 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 2.6 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 80V 1.9A 1,400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 80 V 5.1 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 4.8 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 6A 3,000En existencias
3,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 40 V 18 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 100V 3.7A N-CH TRENCH 2,758En existencias
15,000Se espera el 6/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.7 A 385 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 6.8 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 40V 6A 493En existencias
6,000Se espera el 21/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 P-Channel 1 Channel 40 V 14 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 36 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 4A 348En existencias
3,000Se espera el 7/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 11 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.3 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 3.4A 2,209En existencias
3,000Se espera el 14/4/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 10.6 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 9.2 nC - 55 C + 175 C 18.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8A 10,040En existencias
18,000Se espera el 5/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 23 mOhms - 15 V, 15 V 1.4 V 17 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 4.7A 22En existencias
3,000Se espera el 7/6/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP6-6 P-Channel 1 Channel 12 V 4.7 A 50 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 16 nC - 55 C + 175 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 4.1A 2,976En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-96-1-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 12V 8.2A 5,861En existencias
9,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 12 V 8.2 A 20 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 100 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 5A 3,000En existencias
3,000Se espera el 28/6/2027
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 5 A 48 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 23.4 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 3A 5,784En existencias
3,000Se espera el 14/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4.4 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 9.2 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel