Resultados: 59
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 20V 26A
3,000Se espera el 2/4/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 26 A 14 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 9.8 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 18A
3,000Se espera el 14/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 18 A 38 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 16 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 8.3A
8,580Se espera el 7/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.3 A 60 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 5 nC - 55 C + 175 C 7.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 5.7A
3,000Se espera el 2/4/2027
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 40 V 5.7 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.4 nC - 55 C + 175 C 7.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 7.4A
6,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 7.4 A 271 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 6 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 7.2A
5,926Se espera el 7/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 22 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8A
5,900En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 11 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 6A
6,000Se espera el 7/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 40 V 18 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 5A
5,719Se espera el 14/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 13 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 18 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 4A
1,500Se espera el 9/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 60 V 11 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 7.5 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 3.4A
9,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 10.6 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 9.2 nC - 55 C + 175 C 18.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 80V 3.2A
10,650En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 80 V 9.8 A 81 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 18.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8A
2,812Se espera el 7/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 13 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 5.5A
8,988Se espera el 14/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 60 V 14 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 9 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 3.2A Plazo de entrega 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 122 mOhms - 8 V, 8 V 1.25 V 5 nC - 55 C + 175 C 1.95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 20V 9A
6,000En pedido
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 9 A 14 mOhms - 12 V, 12 V 400 mV 34 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 20V 7.9A
3,000Se espera el 8/7/2026
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 7.9 A 18 mOhms - 12 V, 12 V 400 mV 17 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 7.5A
2,605Se espera el 31/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 7.5 A 20 mOhms - 12 V, 12 V 750 mV 15 nC - 55 C + 150 C 1.65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 20V 7.5A
6,000Se espera el 31/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 7.5 A 20 mOhms - 12 V, 12 V 750 mV 15 nC - 55 C + 150 C 1.65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 7.2A
2,650Se espera el 9/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 10.3 A 23.5 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 45 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 80V 1.9A
9,000Se espera el 18/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 80 V 2.8 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 7.2 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 30V 6.1A
3,000Se espera el 8/7/2026
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 30 V 6.1 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB27EP/SOT1220/DFN2020MD-6
2,990Se espera el 7/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 30 V 8.8 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 5A
2,780Se espera el 14/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 5 A 32.5 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 45 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 5A
6,000En pedido
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 5 A 48 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 23.4 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel