MOSFETs de SiC – Mouser República Dominicana

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Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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IMT65R075M2HXUMA1
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650 V

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IMBG65R075M2HXTMA1
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650 V

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CoolSiC

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IMLT65R075M2HXTMA1
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IMTA65R075M2HXTMA1
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CoolSiC

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IMBG65R033M2HXTMA1
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Enhancement

CoolSiC

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IMDQ65R015M2HXUMA1
Infineon Technologies
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Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R020M2HXUMA1
Infineon Technologies
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IMDQ65R020M2HXUMA1

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$12.86

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HDSOP-22

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IMLT65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
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998En existencias
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IMLT65R026M2HXTMA1

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$11.37

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Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

IMLT65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $10.10
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IMLT65R033M2HXTMA1

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726-IMLT65R033M2HXTM

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Infineon Technologies

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$10.10

$6.80

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$4.97

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650 V

68 A

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Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R026M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: $11.68
1,900En existencias
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IMT65R026M2HXUMA1

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726-IMT65R026M2HXUMA

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$11.68

$8.02

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$6.16

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HSOF-8

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1 Channel

650 V

81 A

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5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R050M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: $6.62
1,912En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IMT65R050M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R050M2HXUMA

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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$6.62

$4.67

$4.04

$3.69

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$3.26

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HSOF-8

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650 V

48.1 A

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22 nC

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Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R060M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: $6.64
1,349En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IMT65R060M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R060M2HXUMA

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Cinta cortada

$6.64

$4.83

$3.56

$3.16

$3.06

Envase tipo carrete

$2.80

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

41.4 A

73 mOhms

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208 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

IMTA65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $11.33
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IMTA65R026M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMTA65R026M2HXTM

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

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1,970En existencias

Cinta cortada

$11.33

$7.62

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Envase tipo carrete

$5.60

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: 2,000

SMD/SMT

PG-LHSOF-4

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650 V

79 A

33 mOhms

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5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2

IMTA65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $9.72
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IMTA65R033M2HXTMA1

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726-IMTA65R033M2HXTM

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2

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1,716En existencias

Cinta cortada

$9.72

$6.44

$4.98

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Envase tipo carrete

$4.65

Min.: 1
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: 2,000

SMD/SMT

PG-LHSOF-4

N-Channel

650 V

68 A

41 mOhms

- 7 V to + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2

IMW65R010M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $23.09
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IMW65R010M2HXKSA1

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726-IMW65R010M2HXKSA

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2

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276En existencias

$23.09

$16.79

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$14.23

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

130 A

13.1 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

112 nC

- 55 C

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440 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R060M2HXTMA1
Infineon Technologies
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IMBG65R060M2HXTMA1

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726-IMBG65R060M2HXTM

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

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446En existencias

Cinta cortada

$7.23

$4.75

$4.05

$3.65

Envase tipo carrete

$3.15

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

34.9 A

73 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R010M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: $22.71
11En existencias
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IMDQ65R010M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ65R010M2HXUM

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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11En existencias

2,250En pedido

Cinta cortada

$22.71

$16.85

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$13.93

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$13.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 750

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HDSOP-22

N-Channel

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650 V

154 A

13.1 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

651 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

IMW65R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
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IMW65R026M2HXKSA1

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$7.60

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

64 A

33 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

26.6 A
28 A
30 A
32.8 A
34.7 A
34.9 A
38 A
41.4 A
46 A
48.1 A
53 A
58 A
58.7 A
64 A
68 A
79 A
81 A
82 A
83 A
93 A

111 W
124 W
130 W
141 W
148 W
153 W
172 W
187 W
194 W
208 W
227 W
237 W
263 W
273 W
277 W
312 W
315 W
341 W
357 W
365 W