Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-12/+6V Id:-6A

SSM3J372R,LF
Toshiba
1: $0.36
155,098Se espera el 11/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J372R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J372RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-12/+6V Id:-6A

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$0.36

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$0.074

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

30 V

6 A

42 mOhms

- 12 V, 6 V

1.2 V

8.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET

SSM3J377R,LXHF
Toshiba
1: $0.47
20,577En pedido

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SSM3J377R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J377RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET

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$0.47

$0.286

$0.182

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Envase tipo carrete

$0.099

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.9 A

93 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V

SSM3K56ACT,L3F
Toshiba
1: $0.38
130,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K56ACT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K56ACTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V

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130,000En pedido

Cinta cortada

$0.38

$0.236

$0.149

$0.111

Envase tipo carrete

$0.061

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

840 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF

SSM6J505NU,LF
Toshiba
1: $0.76
17,476En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J505NU,LF

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757-SSM6J505NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF

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17,476En pedido

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$0.76

$0.473

$0.306

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$0.174

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

P-Channel

1 Channel

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+6/-12V, ID=-4.0A, in UDFN6 package

SSM6P69NU,LF
Toshiba
1: $0.68
34,204En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P69NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P69NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+6/-12V, ID=-4.0A, in UDFN6 package

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$0.68

$0.422

$0.271

$0.206

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$0.153

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4 A

157 mOhms

- 12 V, 6 V

1.2 V

6.74 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC

SSM3J325F,LF
Toshiba
1: $0.39
20,636En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J325F,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J325FLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC

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$0.39

$0.254

$0.159

$0.111

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$0.07

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-346-3

P-Channel

1 Channel

20 V

2 A

311 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

600 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K35CTC,L3F
Toshiba
1: $0.25
Plazo de entrega 10 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K35CTC,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K35CTCL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

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$0.25

$0.153

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$0.07

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$0.037

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Mult.: 1

: 10,000

N-Channel

1 Channel

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A

SSM3J144TU,LF
Toshiba
1: $0.54
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J144TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J144TULF

Toshiba

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$0.54

$0.33

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$0.158

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.2 A

93 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.7 nC

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS

SSM6P47NU,LF
Toshiba
1: $0.66
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P47NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P47NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS

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$0.66

$0.407

$0.261

$0.199

Envase tipo carrete

$0.147

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4 A

242 mOhms

- 8 V, 8 V

1 W

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052

TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
2,000: $0.519
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N.º de artículo del Fabricante
TJ80S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ80S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052

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$0.519

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: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

80 A

5.2 mOhms

100 W

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -5A 1.9W 20nC

TPC8134,LQ(S
Toshiba
2,500: $0.328
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N.º de artículo del Fabricante
TPC8134,LQ(S

N.º de artículo de Mouser
757-TPC8134LQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -5A 1.9W 20nC

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$0.328

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

40 V

5 A

66 mOhms

- 25 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

CST3-3
DPAK-3 (TO-252-3)
ES6-6
PS-8
S-Mini-3
SOP-8
SOT-23-3
SOT-23F-3
SOT-346-3
SOT-363-6
SOT-416-3
SOT-563-6
SOT-723-3
TSON-8
TSOP-6
UDFN-6
UDFN6B-6
UF-6
UFM-3
VESM-3

100 mA
400 mA
800 mA
1.4 A
2 A
2.6 A
3 A
3.2 A
3.4 A
3.5 A
3.6 A
3.9 A
4 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.4 A
5.5 A
6 A
7 A

1.7 mOhms
4.3 mOhms
4.7 mOhms
5.2 mOhms
6.3 mOhms
7.8 mOhms
9.1 mOhms
11.2 mOhms
13.8 mOhms
14 mOhms
15.3 mOhms
17 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
21.8 mOhms
22.2 mOhms
22.5 mOhms
24.9 mOhms
25 mOhms
25.8 mOhms

1 nC
1.6 nC
2.7 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.6 nC, 6.74 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.1 nC
5.9 nC
6.74 nC
7.9 nC
8.2 nC
8.3 nC
9.8 nC
10.4 nC
12.7 nC
12.8 nC
13.6 nC

150 mW
200 mW
500 mW
600 mW
700 mW
800 mW
1 W
1.2 W
1.9 W
2 W
2.01 W
2.5 W
3 W
5 W
27 W
29 W
30 W
41 W
42 W
68 W