Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W

TPC8133,LQ(S
Toshiba
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TPC8133,LQ(S

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757-TPC8133LQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W

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SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

40 V

9 A

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U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V

TJ15P04M3,RQ(S
Toshiba
1: $1.62
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TJ15P04M3,RQ(S

N.º de artículo de Mouser
757-TJ15P04M3RQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V

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$0.684

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40 V

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29 W

Enhancement

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218

TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218

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30 A

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+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

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TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
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TJ40S04M3L(T6L1,NQ

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757-TJ40S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

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$2.25

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DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

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40 A

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- 20 V, 10 V

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83 nC

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68 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138

TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
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TJ50S06M3L(T6L1,NQ

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757-TJ50S06M3LT6L1NQ

Toshiba

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

50 A

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- 20 V, 10 V

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90 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW

SSM6J212FE,LF
Toshiba
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SSM6J212FE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J212FELF

Toshiba

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4 A

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Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V

SSM3J134TU,LF
Toshiba
1: $0.54
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SSM3J134TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J134TULF

Toshiba

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UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.2 A

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- 8 V, 8 V

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4.7 nC

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+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-6.0A, RDS(ON)=0.0225Ohm @ 4.5V, in UF6 package

SSM6J424TU,LF
Toshiba
1: $0.62
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3,000Se espera el 17/4/2026

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SSM6J424TU,LF

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757-SSM6J424TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-6.0A, RDS(ON)=0.0225Ohm @ 4.5V, in UF6 package

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UF-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

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- 8 V, 6 V

1 V

23.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD

SSM6N55NU,LF
Toshiba
1: $0.33
9,689En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N55NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N55NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD

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N-Channel

2 Channel

U-MOSVII-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -9A 1.9W

TPC8129,LQ(S
Toshiba
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TPC8129,LQ(S

N.º de artículo de Mouser
757-TPC8129LQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -9A 1.9W

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$0.385

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SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

30 V

9 A

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2 V

39 nC

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V

SSM3J130TU,LF
Toshiba
1: $0.70
16,192En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J130TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J130TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V

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SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.4 A

25.8 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

24.8 nC

- 55 C

+ 150 C

800 mW

Enhancement

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS

SSM3J332R,LF
Toshiba
1: $0.38
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N.º de artículo del Fabricante
SSM3J332R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J332RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS

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$0.38

$0.233

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P-Channel

1 Channel

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K35CTC,L3F
Toshiba
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SSM3K35CTC,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K35CTCL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

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N-Channel

1 Channel

U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS

SSM6J502NU,LF
Toshiba
1: $0.60
26,689En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J502NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J502NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS

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SMD/SMT

UDFN6B-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

60.5 mOhms

- 8 V, 8 V

1 W

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112

TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: $2.95
2,513En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ60S06M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S06M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

60 A

11.2 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V

SSM3J168F,LF
Toshiba
1: $0.50
50,024En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J168F,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J168FLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V

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$0.107

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SMD/SMT

SOT-346-3

P-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.3 Ohms

- 20 V, 10 V

2 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS

SSM3J328R,LF
Toshiba
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21,950En existencias
48,000Se espera el 12/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J328R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J328RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS

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SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

29.8 mOhms

- 8 V, 8 V

300 mV

12.8 nC

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF

SSM3J334R,LF
Toshiba
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46,423En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J334R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J334RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF

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$0.143

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$0.076

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P-Channel

1 Channel

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

SSM3J351R,LF
Toshiba
1: $0.55
95,226En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J351R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J351RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

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SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

60 V

3.5 A

164 mOhms

- 20 V, 10 V

800 mV

15.1 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

SSM3J356R,LF
Toshiba
1: $0.42
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N.º de artículo del Fabricante
SSM3J356R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J356RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

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SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

60 V

2 A

300 mOhms

- 20 V, 10 V

800 mV

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET

SSM3J378R,LXHF
Toshiba
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SSM3J378R,LXHF

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757-SSM3J378RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

29.8 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM3J56MFV,L3F
Toshiba
1: $0.37
44,947En existencias

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SSM3J56MFV,L3F

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757-SSM3J56MFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 8,000

SMD/SMT

SOT-723-3

P-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

390 mOhms

- 8 V, 8 V

300 mV

1.6 nC

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V

SSM3K345R,LF
Toshiba
1: $0.44
22,093En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K345R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K345RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

20 V

4 A

25 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET V=30V, I-10A

SSM6J507NU,LF
Toshiba
1: $0.64
4,844En existencias
20,880Se espera el 10/4/2026

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SSM6J507NU,LF

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757-SSM6J507NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET V=30V, I-10A

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20,880Se espera el 10/4/2026

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MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

1 Channel

30 V

10 A

20 mOhms

- 25 V, 20 V

1 V

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=180W F=1MHZ

TJ90S04M3L,LQ
Toshiba
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7,034En existencias

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TJ90S04M3L,LQ

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757-TJ90S04M3LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=180W F=1MHZ

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$1.91

$1.32

$1.18

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Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 20 V, 10 V

1 V

172 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

CST3-3
DPAK-3 (TO-252-3)
ES6-6
PS-8
S-Mini-3
SOP-8
SOT-23-3
SOT-23F-3
SOT-346-3
SOT-363-6
SOT-416-3
SOT-563-6
SOT-723-3
TSON-8
TSOP-6
UDFN-6
UDFN6B-6
UF-6
UFM-3
VESM-3

100 mA
400 mA
800 mA
1.4 A
2 A
2.6 A
3 A
3.2 A
3.4 A
3.5 A
3.6 A
3.9 A
4 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.4 A
5.5 A
6 A
7 A

1.7 mOhms
4.3 mOhms
4.7 mOhms
5.2 mOhms
6.3 mOhms
7.8 mOhms
9.1 mOhms
11.2 mOhms
13.8 mOhms
14 mOhms
15.3 mOhms
17 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
21.8 mOhms
22.2 mOhms
22.5 mOhms
24.9 mOhms
25 mOhms
25.8 mOhms

1 nC
1.6 nC
2.7 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.6 nC, 6.74 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.1 nC
5.9 nC
6.74 nC
7.9 nC
8.2 nC
8.3 nC
9.8 nC
10.4 nC
12.7 nC
12.8 nC
13.6 nC

150 mW
200 mW
500 mW
600 mW
700 mW
800 mW
1 W
1.2 W
1.9 W
2 W
2.01 W
2.5 W
3 W
5 W
27 W
29 W
30 W
41 W
42 W
68 W