MASTERGAN4TR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4TR
MASTERGAN4TR

Fabricante:

Descripción:
Controladores de puertas High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 3000   Múltiples: 3000
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$3.87 $11,610.00

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Tray
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$11.38
Mín.:
1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Controladores de puertas
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
3 Output
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Marca: STMicroelectronics
Características: 600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
Voltaje de entrada - Máx.: 15 V
Voltaje de entrada - Mín.: 3.3 V
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: Gate Drivers
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 225 mOhms
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Peso de la unidad: 150 mg
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Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.