MASTERGAN1LTR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1LTR
MASTERGAN1LTR

Fabricante:

Descripción:
Controladores de puertas 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

Modelo ECAD:
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En existencias: 1,274

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$7.14 $7.14
$5.51 $55.10
$5.11 $127.75
$4.66 $466.00
$4.44 $1,110.00
$4.31 $2,155.00
$4.21 $4,210.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$4.07 $12,210.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Controladores de puertas
RoHS:  
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
17 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
Marca: STMicroelectronics
Tiempo de retardo de apagado máximo: 45 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo: 45 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Corriente de suministro operativa: 10 A
Dp - Disipación de potencia : 40 mW
Tipo de producto: Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.: 70 ns
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 330 mOhms
Apagado: Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: GaN
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.