TO-247-4 Semiconductores

Resultados: 446
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM 2,233En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 14MOHM 1200V 461En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 31A N-CH SIC 491En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO 592En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3 1,038En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 217En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4 3,280En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET 459En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET 532En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package 318En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V 1,476En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V 1,387En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 40

Wolfspeed MOSFETs de SiC 1.2kV 75mOHMS E3M AUTO AECQ101 368En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4 583En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 650V/7MOSICFETG3TO247-4 443En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 1200V/16MOSICFETG3TO24 466En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG4TO247-4 388En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 258En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package 384En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-247-4L 860En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package 317En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 750V/11MOSICFETG4TO247 1,134En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC 750En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V 1,589En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V 400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1