TO-247-3 Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
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3,599En existencias
Min.: 1
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Máx.: 450

Vishay Semiconductors SCR NEW INPUT THYRISTOR - SUPER-248
Hoja de datos
965En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Hoja de datos
23,368En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
Hoja de datos
399En existencias
1,200En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS IGBTs IXYH55N120C4H1
Hoja de datos
629En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC RECT 650V 8A RDL POWER SIC
Hoja de datos
886En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Hoja de datos
1,112En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Hoja de datos
531En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
Hoja de datos
318En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 30MOHM 1200V M3
Hoja de datos
284En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10


onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 30A 450V 250W NPN
Hoja de datos
4,591En existencias
2,340Se espera el 29/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30


Littelfuse Rectificadores y diodos Schottky 2x 20A 100V Rectifier
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7,660En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Hoja de datos
7,799En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
Hoja de datos
1,138En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS IGBTs TO247 1200V 85A XPT
Hoja de datos
1,352En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
Hoja de datos
1,403En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Bourns Diodos Schottky de SiC 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3
Hoja de datos
2,918En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
Hoja de datos
6,508En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60


Littelfuse Rectificadores y diodos Schottky 2x 30A 45V Rectifier
Hoja de datos
11,729En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi IGBTs 650V40A FS4 IGBT TO-247LL
Hoja de datos
6,641En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V
Hoja de datos
9,611En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
Hoja de datos
5,930En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2,616En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC 20MW 1200V
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893En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
639En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20