|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD
- SISF00DN-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.44
-
14,998En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SISF00DN-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD
|
|
14,998En existencias
|
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$2.44
|
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$1.19
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$1.07
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$0.85
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$0.822
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$0.729
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
- IPB010N06N
- Infineon Technologies
-
1:
$7.92
-
2,344En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB010N06N
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
|
|
2,344En existencias
|
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|
$7.92
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$5.30
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$4.26
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$3.79
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$3.04
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y8R8-60EL/SOT669/LFPAK
- BUK9Y8R8-60ELX
- Nexperia
-
1:
$2.37
-
7,204En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y8R8-60ELX
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y8R8-60EL/SOT669/LFPAK
|
|
7,204En existencias
|
|
|
$2.37
|
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$1.25
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$1.02
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$0.82
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$0.723
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Ver
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$0.724
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$0.592
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
- SPW47N65C3
- Infineon Technologies
-
1:
$15.54
-
260En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPW47N65C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
|
|
260En existencias
|
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|
$15.54
|
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$11.84
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$8.84
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$8.83
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$8.32
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
- IPD025N06NATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.27
-
7,119En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06NATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
|
|
7,119En existencias
|
|
|
$3.27
|
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$1.72
|
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$1.43
|
|
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$1.21
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$1.15
|
|
|
$1.15
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
- SPA06N80C3
- Infineon Technologies
-
1:
$2.89
-
2,241En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPA06N80C3
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
|
|
2,241En existencias
|
|
|
$2.89
|
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$1.87
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$1.28
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$1.03
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Ver
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$0.964
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$0.93
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$0.817
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Min.: 1
Mult.: 1
|
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
- SPA17N80C3
- Infineon Technologies
-
1:
$5.97
-
2,235En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPA17N80C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
|
|
2,235En existencias
|
|
|
$5.97
|
|
|
$3.91
|
|
|
$2.92
|
|
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$2.44
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|
Ver
|
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|
$2.26
|
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|
$2.11
|
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$1.92
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD06N80C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.51
-
3,446En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD06N80C3ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
3,446En existencias
|
|
|
$2.51
|
|
|
$1.25
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.895
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$0.837
|
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$0.774
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
- IPD30N08S2-22
- Infineon Technologies
-
1:
$2.60
-
2,349En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2-22
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
|
|
2,349En existencias
|
|
|
$2.60
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.14
|
|
|
$0.96
|
|
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$0.803
|
|
|
Ver
|
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|
$0.85
|
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|
$0.701
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- IPP014N06NF2SAKMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$2.63
-
963En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-P014N06NF2SAKMA2
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
963En existencias
|
|
|
$2.63
|
|
|
$1.63
|
|
|
$1.46
|
|
|
$1.19
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.14
|
|
|
$1.08
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
- DMN3018SFGQ-7
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.97
-
1,640En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMN3018SFGQ-7
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
|
|
1,640En existencias
|
|
|
$0.97
|
|
|
$0.69
|
|
|
$0.429
|
|
|
$0.296
|
|
|
$0.249
|
|
|
$0.202
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 30V
- NTLJS4D9N03HTAG
- onsemi
-
1:
$1.99
-
3,161En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NTLJS4D9N03HTAG
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 30V
|
|
3,161En existencias
|
|
|
$1.99
|
|
|
$1.23
|
|
|
$0.807
|
|
|
$0.807
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 180
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
- DMN3012LEG-7
- Diodes Incorporated
-
1:
$2.50
-
219En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMN3012LEG-7
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
|
|
219En existencias
|
|
|
$2.50
|
|
|
$1.43
|
|
|
$1.09
|
|
|
$0.707
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2
- IPD053N06N
- Infineon Technologies
-
1:
$2.53
-
1,613En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD053N06N
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2
|
|
1,613En existencias
|
|
|
$2.53
|
|
|
$1.61
|
|
|
$1.09
|
|
|
$0.876
|
|
|
$0.733
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.785
|
|
|
$0.696
|
|
|
$0.632
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K35-60RA/SOT1205/LFPAK56D
- BUK9K35-60RAX
- Nexperia
-
1:
$1.49
-
2,196En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-BUK9K35-60RAX
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K35-60RA/SOT1205/LFPAK56D
|
|
2,196En existencias
|
|
|
$1.49
|
|
|
$0.702
|
|
|
$0.624
|
|
|
$0.488
|
|
|
$0.421
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.422
|
|
|
$0.371
|
|
|
$0.369
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMOS-DUAL
- DMP3098LSD-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$1.25
-
4,197En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMP3098LSD-13
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMOS-DUAL
|
|
4,197En existencias
|
|
|
$1.25
|
|
|
$0.58
|
|
|
$0.513
|
|
|
$0.513
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 280
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Nch I: 0.4A, V: 60V, P: 270mW S-Min
- SSM3K7002KF,LXHF
- Toshiba
-
1:
$0.36
-
19,058En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K7002KFLXHF
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Nch I: 0.4A, V: 60V, P: 270mW S-Min
|
|
19,058En existencias
|
|
|
$0.36
|
|
|
$0.159
|
|
|
$0.139
|
|
|
$0.103
|
|
|
$0.076
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.064
|
|
|
$0.054
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K25-40RA/SOT1205/LFPAK56D
- BUK9K25-40RAX
- Nexperia
-
1:
$1.71
-
2,919En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-BUK9K25-40RAX
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K25-40RA/SOT1205/LFPAK56D
|
|
2,919En existencias
|
|
|
$1.71
|
|
|
$0.874
|
|
|
$0.75
|
|
|
$0.592
|
|
|
$0.497
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.567
|
|
|
$0.434
|
|
|
$0.417
|
|
|
$0.40
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD04N80C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.29
-
1,335En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD04N80C3ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
1,335En existencias
|
|
|
$2.29
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.88
|
|
|
$0.758
|
|
|
$0.725
|
|
|
$0.692
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A
- DMP3008SFGQ-7
- Diodes Incorporated
-
1:
$2.11
-
1,383En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMP3008SFGQ-7
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A
|
|
1,383En existencias
|
|
|
$2.11
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.88
|
|
|
$0.698
|
|
|
$0.566
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.621
|
|
|
$0.545
|
|
|
$0.532
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K
- DMP3164LVT-7
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.71
-
10,934En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMP3164LVT-7
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K
|
|
10,934En existencias
|
|
|
$0.71
|
|
|
$0.319
|
|
|
$0.281
|
|
|
$0.215
|
|
|
$0.153
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y22-60EL/SOT669/LFPAK
- BUK9Y22-60ELX
- Nexperia
-
1:
$1.39
-
2,814En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y22-60ELX
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y22-60EL/SOT669/LFPAK
|
|
2,814En existencias
|
|
|
$1.39
|
|
|
$0.648
|
|
|
$0.576
|
|
|
$0.449
|
|
|
$0.369
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.387
|
|
|
$0.339
|
|
|
$0.336
|
|
|
$0.298
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3
- SPW35N60C3
- Infineon Technologies
-
1:
$10.93
-
187En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPW35N60C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3
|
|
187En existencias
|
|
|
$10.93
|
|
|
$7.72
|
|
|
$6.44
|
|
|
$5.73
|
|
|
$4.86
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IPD900P06NMATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.52
-
2,171En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD900P06NMATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
2,171En existencias
|
|
|
$1.52
|
|
|
$0.714
|
|
|
$0.635
|
|
|
$0.497
|
|
|
$0.404
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.47
|
|
|
$0.378
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
- SPP08N80C3XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.95
-
833En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPP08N80C3XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
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