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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
- IPT044N15N5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.61
-
3,872En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT044N15N5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
|
|
3,872En existencias
|
|
|
$6.61
|
|
|
$4.44
|
|
|
$3.21
|
|
|
$2.98
|
|
|
$2.78
|
|
|
$2.78
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
174 A
|
4.4 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4.6 V
|
67 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
300 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
- IPT063N15N5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.28
-
1,661En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT063N15N5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
|
|
1,661En existencias
|
|
|
$6.28
|
|
|
$4.21
|
|
|
$3.17
|
|
|
$2.86
|
|
|
$2.60
|
|
|
$2.60
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
122 A
|
6.3 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4.6 V
|
47 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
214 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
- IPT039N15N5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.88
-
2,615En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT039N15N5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
|
|
2,615En existencias
|
|
|
$6.88
|
|
|
$4.63
|
|
|
$3.35
|
|
|
$3.15
|
|
|
$2.94
|
|
|
$2.94
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
190 A
|
4.3 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4.6 V
|
78 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
319 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
- IPT054N15N5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.50
-
2,640En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT054N15N5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
|
|
2,640En existencias
|
|
|
$6.50
|
|
|
$4.36
|
|
|
$3.14
|
|
|
$2.91
|
|
|
$2.72
|
|
|
$2.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
143 A
|
5.4 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4.6 V
|
55 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
250 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Infineon Technologies IPP076N15N5XKSA1
- IPP076N15N5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.73
-
465En existencias
-
500Se espera el 25/2/2027
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP076N15N5XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
|
|
465En existencias
500Se espera el 25/2/2027
|
|
|
$4.73
|
|
|
$2.43
|
|
|
$2.21
|
|
|
$1.81
|
|
|
$1.78
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
112 A
|
7.6 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4.6 V
|
49 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
214 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
- IQD063N15NM5CGATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.71
-
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
726-IQD063N15NM5CGAT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
|
|
|
$5.71
|
|
|
$3.82
|
|
|
$3.09
|
|
|
$2.93
|
|
|
$2.91
|
|
|
$2.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TTFN-9
|
N-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
148 A
|
6.32 Ohms
|
- 10 V, 10 V
|
3 V
|
48 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
278 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
