TRENCHSTOP™ IGBT7 S7

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 offers an extensive 1200V portfolio for all industrial applications requiring short circuit capability/ruggedness. The IGBT7 S7 is an efficient short-circuit rugged discrete IGBT providing at least 10% lower saturation voltage than others.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Paquete / Cubierta
Estilo de montaje
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Máximo voltaje puerta-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Hoja de datos
1,112En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Hoja de datos
551En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Hoja de datos
305En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Hoja de datos
1,570En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Hoja de datos
1,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 20 V 48 A 176 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Hoja de datos
999En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 20 V 71 A 125 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Hoja de datos
715En existencias
285En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1.2 kV 1.92 V 20 V 48 A 176 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Hoja de datos
1,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1.2 kV 1.93 V 20 V 71 A 250 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Hoja de datos
1,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1.2 kV 1.94 V 20 V 97 A 357 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Hoja de datos
1,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1.2 kV 1.94 V 20 V 107 A 429 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Hoja de datos
176En existencias
240Se espera el 29/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Hoja de datos
1,708En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 428 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Hoja de datos
564En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 21 A 106 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Hoja de datos
479En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 36 A 176 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Hoja de datos
475En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 55 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Hoja de datos
120En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Hoja de datos
1,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 20 V 85 A 357 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Hoja de datos
1,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 20 V 97 A 429 W - 40 C + 175 C Tube

Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Hoja de datos
928En existencias
720Se espera el 10/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 357 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube