Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV) exhibit the chip design of DTMOSIV generation and come in different variants. The Si N-channel MOSFETs feature low drain-source on-resistance and fast reverse recovery time. These MOSFETs can easily control gate switching. The TK16x60W MOSFETs are available in different dimensions and come in other packages, including DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220, and TO-220SIS. These Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs are used in switching voltage regulators.

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Resultados: 11

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ TK16G60W5,RVQ Toshiba 1: $4.23 966En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK16G60W5,RVQ N.º de artículo de Mouser 757-TK16G60W5RVQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba tk16x60w mosfets	Hoja de datos	966En existencias	Cinta cortada $4.23 $2.16 $1.96 $1.67 Envase tipo carrete $1.54 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	15.8 A	230 mOhms	30 V	3 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	130 W	Enhancement	DTMOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8x8-OS PD=139W F=1MHZ TK16V60W5,LVQ Toshiba 1: $4.31 2,487En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK16V60W5,LVQ N.º de artículo de Mouser 757-TK16V60W5LVQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8x8-OS PD=139W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba tk16x60w mosfets	Hoja de datos	2,487En existencias	Cinta cortada $4.31 $2.25 Envase tipo carrete $1.58 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DFN8x8-5	N-Channel	1 Channel	600 V	15.8 A	245 mOhms	30 V	3 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	139 W	Enhancement	DTMOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC TK16A60W5,S4VX Toshiba 1: $4.35 226En existencias 250Se espera el 6/11/2026	N.º de artículo del Fabricante TK16A60W5,S4VX N.º de artículo de Mouser 757-TK16A60W5S4VX	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC Obtenga más información sobre Toshiba tk16x60w mosfets	Hoja de datos	226En existencias 250Se espera el 6/11/2026	$4.35 $2.27 $2.10 $1.61 Ver $1.56 $1.53	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	600 V	15.8 A	190 mOhms	30 V	4.5 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	DTMOSIV	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC TK16E60W,S1VX Toshiba 1: $3.49 57En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK16E60W,S1VX N.º de artículo de Mouser 757-TK16E60WS1VX	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC Obtenga más información sobre Toshiba tk16x60w mosfets	Hoja de datos	57En existencias	$3.49 $1.75 $1.72	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	15.8 A	160 mOhms	30 V	3.7 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	130 W	Enhancement	DTMOSIV	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS TK16J60W5,S1VQ Toshiba 1: $6.42 73En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK16J60W5,S1VQ N.º de artículo de Mouser 757-TK16J60W5S1VQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS Obtenga más información sobre Toshiba tk16x60w mosfets	Hoja de datos	73En existencias	$6.42 $3.74 $3.39 $3.06 Ver $2.86 $2.79 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-3PN-3	N-Channel	1 Channel	600 V	15.8 A	230 mOhms	30 V	4.5 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	130 W	Enhancement	DTMOSIV	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS TK16J60W,S1VE Toshiba 1: $6.45 74En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK16J60W,S1VE N.º de artículo de Mouser 757-TK16J60WS1VE	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS Obtenga más información sobre Toshiba tk16x60w mosfets	Hoja de datos	74En existencias	$6.45 $4.22 $3.11 $2.76 $2.45	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-3PN-3	N-Channel	1 Channel	600 V	15.8 A	190 mOhms	30 V	3.7 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	130 W	Enhancement	DTMOSIV	Tray
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF TK16N60W,S1VF Toshiba 1: $4.66 5En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK16N60W,S1VF N.º de artículo de Mouser 757-TK16N60WS1VF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF Obtenga más información sobre Toshiba tk16x60w mosfets	Hoja de datos	5En existencias	$4.66 $2.55	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	15.8 A	160 mOhms	30 V	3.7 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	130 W	Enhancement	DTMOSIV	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF TK16G60W,RVQ Toshiba 1: $4.62 999Se espera el 15/3/2027	N.º de artículo del Fabricante TK16G60W,RVQ N.º de artículo de Mouser 757-TK16G60WRVQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF Obtenga más información sobre Toshiba tk16x60w mosfets	Hoja de datos	999Se espera el 15/3/2027	Cinta cortada $4.62 $2.40 $2.17 $1.84 Envase tipo carrete $1.73 $1.63 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	Through Hole	TO-262-3	N-Channel	1 Channel	600 V	15.8 A	190 mOhms	30 V	3.7 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	130 W	Enhancement	DTMOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC TK16A60W,S4VX Toshiba 1: $4.19 348En pedido	N.º de artículo del Fabricante TK16A60W,S4VX N.º de artículo de Mouser 757-TK16A60WS4VX	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC Obtenga más información sobre Toshiba tk16x60w mosfets	Hoja de datos	348En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: TK16A60W,S4VX Existencias: 0 En pedido: 148 Pendiente 200 Se espera el 19/2/2027 Plazo de entrega de fábrica: 24 Semanas	$4.19 $2.14 $2.07 $1.56 $1.52	Min.: 1 Mult.: 1	Si			N-Channel	1 Channel											DTMOSIV	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC TK16J60W,S1VQ Toshiba 1: $6.41 No en existencias	N.º de artículo del Fabricante TK16J60W,S1VQ N.º de artículo de Mouser 757-TK16J60WS1VQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC Obtenga más información sobre Toshiba tk16x60w mosfets	Hoja de datos	No en existencias	$6.41 $4.20 $3.09 $2.74 $2.44	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-3PN-3	N-Channel	1 Channel	600 V	15.8 A	160 mOhms	30 V	3.7 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	130 W	Enhancement	DTMOSIV
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A TK16V60W,LVQ Toshiba 2,500: $1.36 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TK16V60W,LVQ N.º de artículo de Mouser 757-TK16V60WLVQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A Obtenga más información sobre Toshiba tk16x60w mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	Envase tipo carrete $1.36	Min.: 2,500 Mult.: 2,500 : 2,500	Si	SMD/SMT	DFN8x8-5	N-Channel	1 Channel	600 V	15.8 A	190 mOhms						139 W		DTMOSIV	Reel

TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV)

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