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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 1Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
- TB9051FTG,EL
- Toshiba
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1:
$8.14
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3,143En existencias
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N.º de artículo de Mouser
757-TB9051FTG
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Toshiba
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 1Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
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3,143En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218
- TJ30S06M3L(T6L1,NQ
- Toshiba
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1:
$2.43
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5,239En existencias
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N.º de artículo de Mouser
757-TJ30S06M3LT6L1NQ
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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218
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5,239En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
- TJ60S06M3L(T6L1,NQ
- Toshiba
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1:
$3.15
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332En existencias
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6,000En pedido
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N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S06M3LT6L1NQ
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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
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332En existencias
6,000En pedido
Existencias:
332 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,000 Se espera el 13/11/2026
4,000 Se espera el 15/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
- TK90S06N1L,LQ
- Toshiba
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1:
$3.15
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3,996Se espera el 23/10/2026
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N.º de artículo de Mouser
757-TK90S06N1LLQ
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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
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3,996Se espera el 23/10/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
- TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
- Toshiba
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1:
$1.93
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2,000Se espera el 26/10/2026
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N.º de artículo de Mouser
757-TJ8S06M3LT6L1NQ
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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
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2,000Se espera el 26/10/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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