CoolSiC™ Automotive 1700V MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1700V MOSFETs enable flyback topologies for auxiliary power supplies and DC-DC converters. These devices have continuous DC drain current (IDDC) for Rth(j-c,max) between 7.4A and 15A at 25°C and between 5.6A and 10.5A at 100°C. The Infineon Technologies SiC Trench MOSFET technology offers 0V/20V gate-source voltage driving, compatible with most flyback controllers for automotive applications.

Resultados: 3
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK 105En existencias
500En pedido
Cinta cortada
$7.60
$4.09
$3.75
$3.59
Envase tipo carrete
$2.95
$2.93
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT PG-TO263-7-U01 1 Channel 1.7 kV 15 A 340 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK 51En existencias
2,000En pedido
Cinta cortada
$5.91
$3.10
$2.83
$2.57
Envase tipo carrete
$2.20
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT PG-TO263-7-U01 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 752 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 14 nC - 55 C + 175 C 105 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
750En pedido
Cinta cortada
$7.09
$3.88
$3.55
$3.32
Envase tipo carrete
$2.62
$2.56
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT PG-TO263-7-U01 1 Channel 1.7 kV 11.2 A 485 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 17.5 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement