Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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IQE008N03LM5ATMA1

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BSC011N03LSATMA1
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1: $2.25
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BSC011N03LSATMA1

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726-BSC011N03LSATMA1

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$2.25

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OptiMOS

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BSZ0506NSATMA1
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47,193En pedido

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BSZ0506NSATMA1

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726-BSZ0506NSATMA1

Infineon Technologies

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$0.334

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IQDH29NE2LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $4.89
4,928Se espera el 18/2/2027

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IQDH29NE2LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQDH29NE2LM5CGAT

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4,928Se espera el 18/2/2027

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$4.89

$3.20

$2.39

$2.00

$1.86

Envase tipo carrete

$1.73

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TTFN-9

N-Channel

1 Channel

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789 A

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQE012N03LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.03
6,000Se espera el 17/12/2026
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IQE012N03LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE012N03LM5CGSC

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

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$3.03

$1.96

$1.34

$1.09

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$0.861

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WHTFN-9

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1 Channel

30 V

224 A

1.15 mOhms

16 V

2 V

40 nC

- 55 C

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