Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 8

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2 IPD80R2K8CEATMA1 Infineon Technologies 1: $1.63 8,652En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD80R2K8CEATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R2K8CEATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	8,652En existencias	Cinta cortada $1.63 $0.773 $0.689 $0.567 $0.55 Envase tipo carrete $0.414 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	1.9 A	2.8 Ohms	30 V	3 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	42 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2 IPD80R1K0CEATMA1 Infineon Technologies 1: $2.23 2,080En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD80R1K0CEATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R1K0CEATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	2,080En existencias	Cinta cortada $2.23 $1.08 $0.72 $0.642 Envase tipo carrete $0.642 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	5.7 A	950 mOhms	20 V	3 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies 1: $2.62 648En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA80R1K0CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R1K0CEXKSA2 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	648En existencias	$2.62 $1.50 $1.15 $0.964 Ver $0.854 $0.834 $0.789 $0.788	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	5.7 A	2.19 Ohms	20 V	3 V	31 nC	- 40 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA80R310CEXKSA2 Infineon Technologies 1: $4.29 180En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA80R310CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R310CEXKSA2 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	180En existencias	$4.29 $2.56 $2.08 $1.58 Ver $1.57 $1.52	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	16.7 A	250 mOhms	20 V	2.1 V	91 nC	- 40 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA80R1K4CEXKSA2 Infineon Technologies 1: $2.15 121En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA80R1K4CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R1K4CEXKSA2 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	121En existencias	$2.15 $1.25 $0.948 $0.738 Ver $0.703 $0.657 $0.623 $0.614	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	3.9 A	1.22 Ohms	20 V	2.1 V	23 nC	- 40 C	+ 150 C	31 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA80R460CEXKSA2 Infineon Technologies 1: $3.61 15En existencias 500Se espera el 1/6/2027 NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA80R460CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R460CEXKSA2 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	15En existencias 500Se espera el 1/6/2027	$3.61 $2.11 $1.64 $1.39 $1.31	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	10.8 A	460 mOhms	20 V	2.1 V	64 nC	- 40 C	+ 150 C	34 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA80R650CEXKSA2 Infineon Technologies 1: $3.05 105En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA80R650CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R650CEXKSA2 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	105En existencias	$3.05 $1.52 $1.39 $1.09 Ver $1.07 $1.03 $0.991	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	5.7 A	2.19 Ohms	20 V	3 V	45 nC	- 40 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2 IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies 1: $2.11 Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD80R1K4CEATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R1K4CEATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas	Cinta cortada $2.11 $1.01 $0.902 $0.714 $0.673 Envase tipo carrete $0.555 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	3.9 A	1.4 Ohms	30 V	3 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel

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