π-MOS VI MOSFETs

Toshiba π-MOS VI MOSFETs are Low Voltage Gate Drive devices offered in both P-channel and N-channel polarity and in single- and dual-channel variants. These devices provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. The π-MOS VI MOSFETs drive a 2.5V minimum to 20V maximum gate voltage. Toshiba π-MOS VI MOSFETs are offered in CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3, and TO-263MOD-3 package types for design flexibility. These small surface-mounted packages are ideal for high-density applications.

Resultados: 22
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V 10,131En existencias
Cinta cortada
$0.87
$0.399
$0.352
$0.269
Envase tipo carrete
$0.207
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-346-3 N-Channel 1 Channel 30 V 200 mA 2 Ohms 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V 50,811En existencias
Cinta cortada
$0.46
$0.204
$0.178
$0.174
Envase tipo carrete
$0.173
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 30 V 400 mA 700 mOhms 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V 143,058En existencias
Cinta cortada
$0.28
$0.125
$0.109
$0.08
Envase tipo carrete
$0.048
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000
Si SMD/SMT SOT-883-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
22,613En existencias
Cinta cortada
$0.51
$0.226
$0.198
$0.148
Envase tipo carrete
$0.11
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 100 mA, 180 mA 11 Ohms 10 V 1 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1
32,440En existencias
Cinta cortada
$0.40
$0.179
$0.156
$0.116
Envase tipo carrete
$0.082
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V
6,899En existencias
Cinta cortada
$0.26
$0.114
$0.099
$0.073
Envase tipo carrete
$0.052
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.2 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching
4,597En existencias
24,000Se espera el 27/11/2026
Cinta cortada
$0.23
$0.102
$0.089
$0.065
Envase tipo carrete
$0.047
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms 20 V 1.1 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching
39,437En existencias
Cinta cortada
$0.23
$0.098
$0.086
$0.063
Envase tipo carrete
$0.033
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000
Si SMD/SMT VESM-3 P-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-0.1A VDSS=-20V 12,014En existencias
Cinta cortada
$0.28
$0.125
$0.109
$0.08
Envase tipo carrete
$0.052
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000
Si SMD/SMT SOT-883-3 P-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 4.3 Ohms 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V
31En existencias
9,000Se espera el 5/10/2026
Cinta cortada
$0.24
$0.104
$0.091
$0.066
Envase tipo carrete
$0.047
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SC-59-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching
3,340En existencias
30,000Se espera el 25/12/2026
Cinta cortada
$0.28
$0.121
$0.105
$0.078
Envase tipo carrete
$0.06
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V 14,463En existencias
32,000Se espera el 25/12/2026
Cinta cortada
$0.22
$0.095
$0.082
$0.06
Envase tipo carrete
$0.031
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000
Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1 898En existencias
Cinta cortada
$0.45
$0.201
$0.176
$0.131
Envase tipo carrete
$0.093
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SOT-553-5 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V 616En existencias
Cinta cortada
$0.43
$0.188
$0.165
$0.123
Envase tipo carrete
$0.091
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-353-5 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 2.2 Ohms, 2.2 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-0.1A VDSS=-30V 4,700En existencias
Cinta cortada
$0.43
$0.188
$0.165
$0.123
Envase tipo carrete
$0.109
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-353-5 P-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms 20 V 1.7 V + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
8,000En existencias
Cinta cortada
$0.37
$0.163
$0.142
$0.105
Envase tipo carrete
$0.074
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 100 mA, 180 mA 20 Ohms, 44 Ohms 10 V 400 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V
185En existencias
8,000En pedido
Cinta cortada
$0.56
$0.248
$0.217
$0.163
Envase tipo carrete
$0.117
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 8 Ohms 20 V 1.7 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q100 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
14,998Se espera el 29/1/2027
Cinta cortada
$0.23
$0.098
$0.086
$0.063
Envase tipo carrete
$0.045
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV + 150 C 100 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
12,000Se espera el 1/1/2027
Cinta cortada
$0.36
$0.221
$0.139
$0.103
Ver
Envase tipo carrete
$0.057
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 20 V 180 mA 20 Ohms, 20 Ohms 10 V 400 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET
5,999Se espera el 26/3/2027
Cinta cortada
$0.42
$0.258
$0.243
$0.167
Envase tipo carrete
$0.127
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 460 mOhms, 460 mOhms 20 V 350 mV 1.23 nC - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Cinta cortada
$0.43
$0.261
$0.165
$0.123
Envase tipo carrete
$0.091
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-353-5 N-Channel 2 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel No en existencias
Cinta cortada
$0.52
$0.355
$0.225
$0.142
Envase tipo carrete
$0.092
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT ES6-6 MOSVI Reel, Cut Tape