Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 6 100V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 100V Power MOSFETs are offered in SuperSO8 and PQFN 3.3 x 3.3 packages, while optimized for high-switching-frequency applications such as telecom and solar, where losses are associated with charges (switching) and on-state resistance (conduction). Additionally, due to the best-in-class R_DS(on) and wider safe operating area (SOA), the device is also ideal for battery-powered applications (BPA) and battery management systems (BMS).

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Resultados: 9

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISZ230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.66 8,752En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISZ230N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ230N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	8,752En existencias	Cinta cortada $1.66 $0.784 $0.699 $0.549 Ver Envase tipo carrete $0.427 $0.545 $0.508 $0.427	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	31 A	23 mOhms	20 V	3.3 V	7.4 nC	- 55 C	+ 175 C	48 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V for motor control and battery protection applications IPT014N10NM8ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.40 471En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPT014N10NM8ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-PT014N10NM8ATMA1 Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V for motor control and battery protection applications Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	471En existencias	Cinta cortada $5.40 $2.81 $2.56 $2.28 $2.27 Envase tipo carrete $2.15	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	100 V	331 A	1.38 mOhms	20 V	3.2 V	160 nC	- 55 C	+ 175 C	357 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC030N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.86 15En existencias 20,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC030N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC030N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	15En existencias 20,000En pedido	Cinta cortada $3.86 $2.29 $1.81 $1.56 $1.41 Envase tipo carrete $1.31 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	179 A	3 mOhms	20 V	3.3 V	55 nC	- 55 C	+ 175 C	208 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC060N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.92 168En existencias 65,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC060N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC060N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	168En existencias 65,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC060N10NM6ATMA1 Existencias: 168 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 25,000 Se espera el 22/10/2026 10,000 Se espera el 12/11/2026 30,000 Se espera el 10/12/2026 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.92 $1.67 $1.30 $1.06 Ver Envase tipo carrete $0.874 $0.988 $0.959 $0.874 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	97 A	6 mOhms	20 V	3.3 V	26 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.52 11En existencias 20,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC080N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC080N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	11En existencias 20,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC080N10NM6ATMA1 Existencias: 11 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 10,000 Se espera el 3/12/2026 10,000 Se espera el 11/2/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.52 $1.42 $1.11 $0.924 Ver Envase tipo carrete $0.688 $0.88 $0.823 $0.688 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	75 A	8.05 mOhms	20 V	3.3 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.93 330En existencias 59,587En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC230N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC230N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	330En existencias 59,587En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC230N10NM6ATMA1 Existencias: 330 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 19,587 Se espera el 16/11/2026 40,000 Se espera el 18/2/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $1.93 $1.09 $0.80 $0.665 Ver Envase tipo carrete $0.445 $0.623 $0.572 $0.445 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	31 A	23 mOhms	20 V	3.3 V	7.4 nC	- 55 C	+ 175 C	48 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC022N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $6.95 75,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC022N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC022N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	75,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC022N10NM6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 20,000 Se espera el 11/2/2027 20,000 Se espera el 18/3/2027 35,000 Se espera el 9/9/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $6.95 $4.03 $3.07 $2.83 Envase tipo carrete $2.30 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	230 A	2.24 mOhms	20 V	3.3 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	254 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC027N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.49 19,290En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC027N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC027N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	19,290En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC027N10NM6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 9,290 Se espera el 4/2/2027 10,000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $4.49 $2.30 $2.09 $1.77 Envase tipo carrete $1.66 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	192 A	2.7 mOhms	20 V	3.3 V	58 nC	- 55 C	+ 175 C	217 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISZ080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.03 110,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISZ080N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ080N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	110,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISZ080N10NM6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 10,000 Se espera el 15/4/2027 30,000 Se espera el 1/7/2027 70,000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.03 $0.972 $0.844 $0.692 Ver Envase tipo carrete $0.56 $0.689 $0.685 $0.56 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	75 A	8.04 mOhms	20 V	3.3 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

OptiMOS™ 6 100V Power MOSFETs

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