Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1,445
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Chnl UMOS 9,557En existencias
9,000Se espera el 9/9/2026
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Máx.: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 30,816En existencias
Min.: 1
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Máx.: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET 45,875En existencias
Min.: 1
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Máx.: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS 9,591En existencias
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: 1,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS 29,858En existencias
96,000En pedido
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Máx.: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS 8,347En existencias
90,000En pedido
Min.: 1
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Máx.: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V N-Channel 3.8A MOSFET 4,401En existencias
13,000En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Chnl UMOS 7,568En existencias
9,000Se espera el 21/1/2027
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Máx.: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Chnl UMOS 15,716En existencias
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Máx.: 1,000
: 1,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 9.9A P-CHANNEL 2,808En existencias
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Máx.: 430
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60 Volt 3.0A 19,528En existencias
165,000En pedido
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Máx.: 6,000
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V P-Channel 5.7A MOSFET 6,161En existencias
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Máx.: 370
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 500mohm 1.3A 480mJ 12,647En existencias
Min.: 1
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Máx.: 1,000
: 1,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH INTELLIFET 100mOhm 2.8A 480mJ 4,868En existencias
14,000En pedido
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Máx.: 1,030
: 1,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family SOT23 T&R 3K 73,621En existencias
Min.: 1
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Máx.: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family 458,994En existencias
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Máx.: 10,000
: 10,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K 26,600En existencias
Min.: 1
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: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss 7,997En existencias
10,000Se espera el 5/3/2027
Min.: 1
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: 10,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250mW 20V 13,577En existencias
18,000Se espera el 21/5/2027
Min.: 1
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Máx.: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 15,978En existencias
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Máx.: 1,130
: 10,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 30V Comp Pair 14,540En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp Pair Enh FET 30Vdss 20Vgss 6,365En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 250
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 16,821En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 760
: 10,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N & P Enh FET Low RDSon 22.2pF 15,345En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,470
: 10,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp Pair Enh FET 40Vdss 20Vgss 3,439En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 190
: 2,500