Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1,445
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 7.5A 8,718En existencias
10,000Se espera el 2/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
: 1,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS 13,319En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
: 1,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 45V 16,307En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 170

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V 5,918En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 230
: 4,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 60V 3,520En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 180
: 2,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 200mohm 1.8A 210mJ 4,203En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Diodes Incorporated Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación 60V self-protected low-side MOSFET SW 21,161En existencias
15,000Se espera el 2/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000
: 1,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V 30,945En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A 48,128En existencias
40,000Se espera el 21/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,570
: 10,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 4.8A/- 6.3A 4,423En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 4K 39,121En existencias
32,000Se espera el 5/3/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4,000
: 4,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,P-CHANNEL -40V, -4.1A,-5.2A 3,749En existencias
5,000Se espera el 19/5/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3A 21,634En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V 5,179En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 190
: 1,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V 7,349En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
: 1,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 60V 17,702En existencias
14,000Se espera el 31/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000
: 1,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 100V 6,684En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,070
: 1,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 250V 9,985En existencias
45,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000
: 1,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Chnl HDMOS 5,032En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 240
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Cmp 30V NP Ch UMOS 2,497En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp. 60V NP-Chnl 3,079En existencias
Min.: 1
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Máx.: 100
: 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A 21,593En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET H-BRIDGE SOP-8L 6,935En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS 12,185En existencias
51,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 680
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL 6,499En existencias
12,500Se espera el 6/8/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500