Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1,445
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHAN 4,035En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K 2,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Enh Mode FET 41V to 60V TO263 750En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD 4,498En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 330
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 2,306En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC 7,930En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 8 VGS 52.5pF 0.88nC 17,134En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 4,243En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh Mode AEC-Q101 2,129En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF 2,835En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 2,569En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A 1,864En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W 9,257En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 490
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 1,917En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 3,950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A 2,381En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 1,133En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge 2,607En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A 2,362En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 T&R 2.5K 1,966En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 180
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMOS-DUAL 4,297En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 280
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 70A 1,242En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8 N-Ch FET 4.5V 280mOhm 12Vdss 2,559En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 263En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 3,320En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000