|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISZ230N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.66
-
8,822En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ230N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
8,822En existencias
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.699
|
|
|
$0.549
|
|
|
$0.474
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.474
|
|
|
$0.422
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
31 A
|
23 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
7.4 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
48 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC060N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.89
-
19,917En existencias
-
10,000Se espera el 20/8/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC060N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
19,917En existencias
10,000Se espera el 20/8/2026
|
|
|
$2.89
|
|
|
$1.86
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.919
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.948
|
|
|
$0.934
|
|
|
$0.893
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
97 A
|
6 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
26 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
125 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC230N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.76
-
21,714En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC230N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
21,714En existencias
|
|
|
$1.76
|
|
|
$1.11
|
|
|
$0.726
|
|
|
$0.576
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.433
|
|
|
$0.512
|
|
|
$0.468
|
|
|
$0.433
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
31 A
|
23 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
7.4 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
48 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC030N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.79
-
110En existencias
-
10,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC030N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
110En existencias
10,000En pedido
|
|
|
$3.79
|
|
|
$2.48
|
|
|
$1.81
|
|
|
$1.72
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.31
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.64
|
|
|
$1.31
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
179 A
|
3 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
55 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
208 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC080N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.47
-
194En existencias
-
20,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC080N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
194En existencias
20,000En pedido
Existencias:
194 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
10,000 Se espera el 1/7/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$2.47
|
|
|
$1.56
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.854
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.679
|
|
|
$0.766
|
|
|
$0.727
|
|
|
$0.679
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
75 A
|
8.05 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
100 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC022N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.69
-
89,008En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC022N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
89,008En pedido
En pedido:
9,008 Se espera el 15/10/2026
40,000 Se espera el 5/11/2026
20,000 Se espera el 13/5/2027
20,000 Se espera el 17/6/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$6.69
|
|
|
$4.42
|
|
|
$3.23
|
|
|
$2.91
|
|
|
$2.83
|
|
|
$2.39
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
230 A
|
2.24 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
73 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
254 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC027N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.49
-
19,900En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC027N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
19,900En pedido
|
|
|
$4.49
|
|
|
$2.96
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.66
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
192 A
|
2.7 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
58 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
217 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISZ080N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.24
-
100,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ080N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
100,000En pedido
En pedido:
30,000 Se espera el 26/11/2026
30,000 Se espera el 17/12/2026
15,000 Se espera el 27/5/2027
25,000 Se espera el 3/6/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$2.24
|
|
|
$1.34
|
|
|
$0.922
|
|
|
$0.745
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.56
|
|
|
$0.662
|
|
|
$0.605
|
|
|
$0.56
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
75 A
|
8.04 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
100 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
