Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs are optimized for energy efficiency, power density, and ease of use. CoolMOS 7 technology is optimized for specific applications with innovative package concepts and various technologies. CoolMOS 7 MOSFETS are ideal for applications like making electric vehicle charging stations smaller with higher outputs resulting in faster car charging. Thanks to CoolMOS 7, adapters and chargers can be made smaller, lighter, and more efficient. With CoolMOS 7, engineers can make renewable energy systems cheaper and more efficient.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R125CFD7XKSA1
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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPL60R365P7AUMA1
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Enhancement

CoolMOS

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IPD60R600P7ATMA1
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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPP60R120C7XKSA1
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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA60R099C7XKSA1
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CoolMOS

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IPA80R450P7XKSA1
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CoolMOS

Tube

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IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
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IPAN70R360P7SXKSA1

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R095C7
Infineon Technologies
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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
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Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R095C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R095C7XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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650 V

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R065C7
Infineon Technologies
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243En existencias

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IPA65R065C7

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726-IPA65R065C7

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerTransistor

IPN80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.10
5,050En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R3K3P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
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Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerTransistor

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Envase tipo carrete

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SOT-223-3

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPA70R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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$1.44

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$0.673

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TO-220-3

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

IPT60R028G7XTMA1
Infineon Technologies
1: $19.15
1,960En existencias
2,000En pedido

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IPT60R028G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R028G7XTMA1

Infineon Technologies

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$19.15

$12.17

$12.14

$11.48

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Envase tipo carrete

$10.87

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391 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $10.73
12,886En existencias

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IPW60R037P7XKSA1

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726-IPW60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

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12,886En existencias

$10.73

$5.83

$5.39

$5.35

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Through Hole

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76 A

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+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $12.99
2,616En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R040C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

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2,616En existencias

$12.99

$7.20

$6.87

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Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

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50 A

34 mOhms

- 20 V, 20 V

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227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.15
21,007En existencias
23,760Se espera el 29/4/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

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21,007En existencias

23,760Se espera el 29/4/2027

$4.15

$2.05

$1.87

$1.55

$1.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

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- 20 V, 20 V

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+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.46
1,988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R120C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120C7XKSA1

Infineon Technologies

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1,988En existencias

$5.46

$2.85

$2.60

$2.18

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

120 mOhms

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3 V

34 nC

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+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R060C7ATMA1
Infineon Technologies
1: $9.02
1,029En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R060C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,029En existencias

Cinta cortada

$9.02

$4.93

$4.53

$4.50

Envase tipo carrete

$4.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

162 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R099C7ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.61
1,271En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,271En existencias

Cinta cortada

$6.61

$3.51

$3.21

$2.98

Envase tipo carrete

$2.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.99
1,678En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R180C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,678En existencias

Cinta cortada

$3.99

$2.61

$1.90

$1.59

Envase tipo carrete

$1.42

$1.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.78
5,488En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

5,488En existencias

Cinta cortada

$2.78

$1.37

$1.23

$0.989

Envase tipo carrete

$0.91

$0.873

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R1K4P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: $1.05
30,409En existencias
2,500Se espera el 8/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R1K4P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R1K4P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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30,409En existencias

2,500Se espera el 8/9/2026

Cinta cortada

$1.05

$0.483

$0.427

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Envase tipo carrete

$0.261

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

700 V

4 A

1.15 Ohms

- 16 V, 16 V

2.5 V

4.7 nC

- 40 C

+ 150 C

22.7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8.5 A

490 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

6.9 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
15 A
16 A
17 A

17 mOhms
19 mOhms
26 mOhms
28 mOhms
30 mOhms
34 mOhms
40 mOhms
49 mOhms
50 mOhms
52 mOhms
53 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
58 mOhms
60 mOhms
62 mOhms
65 mOhms
66 mOhms
69 mOhms
70 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC
25 nC
27 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.9 W
7 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W
28 W
29 W