Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N-Channel OptiMOS™ 7 25V Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 25V Power MOSFETs deliver application-optimized performance, enabling peak performance for data centers, servers, AI, and more. The MOSFETs are available in hard-switching and soft-switching topologies. The hard-switching-optimized devices feature outstanding Miller ratios, FOMs, and R_DS(on). The MOSFETs optimized for soft switching offer ultra-low R_DS(on) and FOMQ_g.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 10

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.58 11,619En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH46NE2LM7UCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	11,619En existencias	Cinta cortada $4.58 $2.35 $2.13 $1.82 $1.75 Envase tipo carrete $1.71	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	PG-WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	25 V	440 A	460 uOhms	16 V	2 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.48 14,303En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH46NE2LM7ZCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	14,303En existencias	Cinta cortada $4.48 $2.29 $2.08 $1.77 $1.70 Envase tipo carrete $1.66	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	430 A	480 uOhms	12 V	1.7 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $3.68 5,873En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH64NE2LM7UCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	5,873En existencias	Cinta cortada $3.68 $2.16 $1.68 $1.41 $1.35 Envase tipo carrete $1.23	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	348 A	640 uOhms	16 V	2 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	130 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.38 5,736En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH50NE2LM7UCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	5,736En existencias	Cinta cortada $4.38 $2.24 $2.03 $1.71 $1.65 Envase tipo carrete $1.61	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	298 A	500 uOhms	16 V	2 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 Infineon Technologies 1: $2.81 4,955En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH50NE2LM7ZCGA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	4,955En existencias	Cinta cortada $2.81 $1.48 $1.30 $1.08 Ver Envase tipo carrete $0.964 $1.04 $1.02 $0.964	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	422 A	500 uOhms	12 V	1.7 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH54NE2LM7UCGATMA1 Infineon Technologies 1: $2.71 4,897En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH54NE2LM7UCGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH54NE2LM7UCGA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	4,897En existencias	Cinta cortada $2.71 $1.44 $1.27 $1.04 Ver Envase tipo carrete $0.928 $1.02 $0.999 $0.928	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	406 A	540 uOhms	16 V	2 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH68NE2LM7UCGATMA1 Infineon Technologies 1: $2.64 4,965En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH68NE2LM7UCGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH68NE2LM7UCGA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	4,965En existencias	Cinta cortada $2.64 $1.29 $1.16 $0.929 Ver Envase tipo carrete $0.811 $0.908 $0.869 $0.811	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	338 A	680 uOhms	16 V	2 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	130 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $3.14 5,674En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH80NE2LM7UCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	5,674En existencias	Cinta cortada $3.14 $1.56 $1.41 $1.14 Ver Envase tipo carrete $1.03 $1.12 $1.07 $1.03	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	282 A	800 uOhms	16 V	2 V	17.2 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH84NE2LM7UCGATMA1 Infineon Technologies 1: $2.31 4,923En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH84NE2LM7UCGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH84NE2LM7UCGA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	4,923En existencias	Cinta cortada $2.31 $1.13 $1.01 $0.801 Ver Envase tipo carrete $0.677 $0.775 $0.748 $0.677 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	275 A	840 uOhms	16 V	2 V	17.2 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.09 17,950En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH42NE2LM7ZCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	17,950En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1 Existencias: 0 En pedido: 11,950 Se espera el 19/11/2026 6,000 Se espera el 26/11/2026 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $5.09 $2.63 $2.39 $2.06 $2.03 Envase tipo carrete $1.82	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	PG-WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	25 V	460 A		12 V	1.7 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Reel, Cut Tape

N-Channel OptiMOS™ 7 25V Power MOSFETs

Filtros aplicados:

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte