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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
- TK100S04N1L,LQ
- Toshiba
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1:
$3.75
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3,603En existencias
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N.º de artículo de Mouser
757-TK100S04N1LLQ
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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
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3,603En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
- TK65S04N1L,LQ
- Toshiba
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1:
$2.92
-
1,769En existencias
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N.º de artículo de Mouser
757-TK65S04N1LLQ
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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
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1,769En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10
- TB9061AFNG,EL
- Toshiba
-
1:
$8.36
-
447En existencias
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N.º de artículo de Mouser
757-TB9061AFNG,EL
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Toshiba
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10
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447En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
- TJ60S04M3L(T6L1,NQ
- Toshiba
-
1:
$2.08
-
40En existencias
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2,000Se espera el 13/11/2026
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N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S04M3LT6L1NQ
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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
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40En existencias
2,000Se espera el 13/11/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
- TJ60S06M3L(T6L1,NQ
- Toshiba
-
1:
$3.15
-
332En existencias
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6,000En pedido
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N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S06M3LT6L1NQ
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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
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332En existencias
6,000En pedido
Existencias:
332 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,000 Se espera el 16/11/2026
4,000 Se espera el 11/12/2026
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
- TK90S06N1L,LQ
- Toshiba
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1:
$3.15
-
3,996Se espera el 6/11/2026
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N.º de artículo de Mouser
757-TK90S06N1LLQ
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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
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3,996Se espera el 6/11/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
- TJ80S04M3L(T6L1,NQ
- Toshiba
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1:
$2.04
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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N.º de artículo de Mouser
757-TJ80S04M3LT6L1NQ
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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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