TQMxx0NB0xLDCRLG Dual 40V/60V MOSFETs

Taiwan Semiconductor TQMxx0NB0xLDCRLG Dual 40V/60V MOSFETs are automotive dual N-channel devices for 12V and 24V automotive systems. The family is offered in 40V and 60V options with low maximum RDS(on), low gate charge, and PDFN56U dual packaging for compact board-level switching designs. The MOSFETs feature AEC-Q101 qualification, 100% UIS and Rg testing, wettable-flank packages, and support for 175°C operating junction temperature.

Resultados: 4
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 33A, Dual N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 2 Channel 40 V 48 A 10 mOhms 20 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 33A, Dual N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 2 Channel 40 V 35 A 14 mOhms 20 V 2.5 V 8.9 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Dual N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 2 Channel 60 V 27 A 25 mOhms 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 21A, Dual N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 2 Channel 60 V 21 A 30 mOhms 20 V 2.5 V 8.6 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel