DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Resultados: 250
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 2,569En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 51.7 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 21 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 1,418En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 240 A 1.6 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 77 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A 1,864En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20.6 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 1,316En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 124.3 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V 1,498En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 2,221En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 95 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 1,305En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 8.9 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 33.3 nC - 55 C + 150 C 1.67 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 1.16W 31A 2,466En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 10.6 A 16 mOhms - 16 V, 16 V 500 mV 18.9 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 2,344En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 98.4 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 53.7 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET Low Rdson 2,363En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 5,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 64.8 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15.3 nC - 55 C + 175 C 55.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 3.1mOhm 10Vgs 100A 1,149En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K 1,718En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 60 V 33.2 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 80A 3,370En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 13.5 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 41.3 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K 2,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 38.5 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Enh Mode FET 41V to 60V TO263 750En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 175 C 4.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 1,753En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A 2,381En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 83 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated DMT3020LFCL-7
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 2,515En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 2,370En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 82.2 nC - 55 C + 175 C 138 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 40,753En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 61V-100V 5,915En existencias
7,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 68.8 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 53.7 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET Low Rdson 4,994En existencias
7,500Se espera el 15/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 9.4 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 58.4 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W 2,710En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 100 V 42 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 33.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W 3,722En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 8.3 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 33.3 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel