Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 86

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF SSM6J414TU,LF Toshiba 1: $0.70 3,077En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6J414TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J414TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	3,077En existencias	Cinta cortada $0.70 $0.431 $0.276 $0.209 Envase tipo carrete $0.16 Ver $0.188 $0.146 $0.126 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	UF-6	P-Channel	1 Channel	20 V	6 A	54 mOhms	8 V	1 V	23.1 nC	- 55 C	+ 150 C	1 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427Ohm @ 4.5V, in UF6 package SSM6J422TU,LF Toshiba 1: $0.57 3,371En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6J422TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J422TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427Ohm @ 4.5V, in UF6 package Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	3,371En existencias	Cinta cortada $0.57 $0.254 $0.223 $0.167 Envase tipo carrete $0.151 Ver $0.124 $0.108 $0.095 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	UF-6	P-Channel	1 Channel	20 V	4 A	42.7 mOhms	- 8 V, 6 V	1 V	12.8 nC	- 55 C	+ 150 C	1 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V SSM6J501NU,LF Toshiba 1: $0.70 1,606En existencias 33,000Se espera el 2/4/2027	N.º de artículo del Fabricante SSM6J501NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J501NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	1,606En existencias 33,000Se espera el 2/4/2027	Cinta cortada $0.70 $0.317 $0.279 $0.211 Envase tipo carrete $0.161 Ver $0.202 $0.151 $0.137 $0.128 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	UDFN-6	P-Channel	1 Channel	20 V	10 A	15.3 mOhms	8 V	300 mV	29.9 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS SSM6J502NU,LF Toshiba 1: $0.69 8,989En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6J502NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J502NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	8,989En existencias	Cinta cortada $0.69 $0.423 $0.272 $0.206 Envase tipo carrete $0.157 Ver $0.184 $0.143 $0.124 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	UDFN6B-6	P-Channel	1 Channel	20 V	6 A	60.5 mOhms	8 V					1 W			U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS SSM6J503NU,LF Toshiba 1: $0.71 2,999En existencias 3,000Se espera el 25/12/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM6J503NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J503NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	2,999En existencias 3,000Se espera el 25/12/2026	Cinta cortada $0.71 $0.319 $0.28 $0.212 Envase tipo carrete $0.183 Ver $0.152 $0.132 $0.12 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	UDFN-6	P-Channel	1 Channel	20 V	6 A	89.6 mOhms	8 V	1 V	12.8 nC	- 55 C	+ 150 C	1 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V SSM6J801R,LF Toshiba 1: $0.50 816En existencias 3,000Se espera el 5/2/2027	N.º de artículo del Fabricante SSM6J801R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J801RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	816En existencias 3,000Se espera el 5/2/2027	Cinta cortada $0.50 $0.306 $0.194 $0.146 Envase tipo carrete $0.109 Ver $0.13 $0.099 $0.084 $0.079 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TSOP-6	P-Channel	1 Channel	20 V	6 A	32.5 mOhms	- 8 V, 6 V	1 V	12.8 nC	- 55 C	+ 150 C	3 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A SSM6L61NU,LF Toshiba 1: $0.80 819En existencias 3,000Se espera el 11/12/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM6L61NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6L61NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A Obtenga más información sobre Toshiba dual channel power mosfets	Hoja de datos	819En existencias 3,000Se espera el 11/12/2026	Cinta cortada $0.80 $0.361 $0.318 $0.242 Envase tipo carrete $0.186 Ver $0.239 $0.165 $0.154 $0.153 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	UDFN-6	N-Channel, P-Channel	2 Channel	20 V	4 A	108 mOhms, 157 mOhms	8 V, 12 V	400 mV, 500 mV	3.6 nC, 6.74 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		U-MOSVII-H / U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1 SSM6N16FUTE85LF Toshiba 1: $0.45 153En existencias 3,000Se espera el 14/4/2027	N.º de artículo del Fabricante SSM6N16FUTE85LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N16FUTE85LF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1 Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	153En existencias 3,000Se espera el 14/4/2027	Cinta cortada $0.45 $0.201 $0.176 $0.131 Envase tipo carrete $0.098 Ver $0.088 $0.08 $0.075 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-363-6	N-Channel	2 Channel	20 V	100 mA	5.2 Ohms	10 V	1.1 V		- 55 C	+ 150 C	200 mW	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD SSM6N55NU,LF Toshiba 1: $0.67 8,938En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6N55NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N55NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD Obtenga más información sobre Toshiba u mosvii h mosfets	Hoja de datos	8,938En existencias	Cinta cortada $0.67 $0.301 $0.264 $0.195 Envase tipo carrete $0.141 Ver $0.167 $0.129 $0.12 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si			N-Channel	2 Channel												U-MOSVII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A SSM6N61NU,LF Toshiba 1: $0.80 6,214En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6N61NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N61NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A Obtenga más información sobre Toshiba u mosvii h mosfets	Hoja de datos	6,214En existencias	Cinta cortada $0.80 $0.361 $0.318 $0.242 Envase tipo carrete $0.186 Ver $0.239 $0.177 $0.161 $0.153 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	UDFN-6	N-Channel	2 Channel	20 V	4 A	108 mOhms	8 V	400 mV	3.6 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS SSM6P49NU,LF Toshiba 1: $0.78 181En existencias 3,000Se espera el 20/11/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM6P49NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6P49NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	181En existencias 3,000Se espera el 20/11/2026	Cinta cortada $0.78 $0.486 $0.313 $0.239 Envase tipo carrete $0.183 Ver $0.215 $0.168 $0.149 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	UDFN-6	P-Channel	2 Channel	20 V	4 A	157 mOhms	12 V	1.2 V		- 55 C	+ 150 C	1 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 33.8 mOhm 10V 10uA 2.0 to 3.0V TJ10S04M3L(T6L1,NQ Toshiba 1: $2.01 171En existencias 2,000Se espera el 20/11/2026	N.º de artículo del Fabricante TJ10S04M3L(T6L1,NQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ10S04M3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 33.8 mOhm 10V 10uA 2.0 to 3.0V Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	171En existencias 2,000Se espera el 20/11/2026	Cinta cortada $2.01 $0.963 $0.861 $0.682 Envase tipo carrete $0.57 Ver $0.664 $0.557 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	10 A	33.8 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	27 W	Enhancement	AEC-Q100	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V TJ15P04M3,RQ(S Toshiba 1: $1.23 2,867En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ15P04M3,RQ(S N.º de artículo de Mouser 757-TJ15P04M3RQS	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	2,867En existencias	Cinta cortada $1.23 $0.571 $0.507 $0.406 Envase tipo carrete $0.405 Ver $0.405 $0.285 $0.279 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	15 A	48 mOhms	20 V	2 V	26 nC	- 55 C	+ 150 C	29 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1770pF 41W 36nC -15A -60V TJ15S06M3L(T6L1,NQ Toshiba 1: $2.01 1,286En existencias 2,000Se espera el 20/11/2026	N.º de artículo del Fabricante TJ15S06M3L(T6L1,NQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ15S06M3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1770pF 41W 36nC -15A -60V Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	1,286En existencias 2,000Se espera el 20/11/2026	Cinta cortada $2.01 $0.963 $0.861 $0.682 Envase tipo carrete $0.575 Ver $0.664 $0.55 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	60 V	15 A	63 mOhms			36 nC			41 W		AEC-Q100	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222 TJ20S04M3L(T6L1,NQ Toshiba 1: $2.01 136En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ20S04M3L(T6L1,NQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ20S04M3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222 Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	136En existencias	Cinta cortada $2.01 $0.963 $0.861 $0.682 $0.672 Envase tipo carrete $0.55 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	20 A	22.2 mOhms						41 W		AEC-Q100	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063 TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba 1: $2.08 6En existencias 2,000Se espera el 16/11/2026	N.º de artículo del Fabricante TJ60S04M3L(T6L1,NQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S04M3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063 Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	6En existencias 2,000Se espera el 16/11/2026	Cinta cortada $2.08 $1.01 $0.897 $0.711 $0.679 Envase tipo carrete $0.586 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	60 A	6.3 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	125 nC	- 55 C	+ 175 C	90 W	Enhancement	AEC-Q100	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112 TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba 1: $3.15 314En existencias 6,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante TJ60S06M3L(T6L1,NQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S06M3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112 Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	314En existencias 6,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: TJ60S06M3L(T6L1,NQ Existencias: 314 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2,000 Se espera el 20/11/2026 4,000 Se espera el 14/12/2026 Plazo de entrega de fábrica: 20 Semanas	Cinta cortada $3.15 $1.57 $1.42 $1.14 $1.10 Envase tipo carrete $1.03 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	60 V	60 A	11.2 mOhms	- 20 V, 10 V	2 V	156 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	AEC-Q100	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104 TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba 1: $1.93 1,500En existencias 2,000Se espera el 16/4/2027	N.º de artículo del Fabricante TJ8S06M3L(T6L1,NQ) N.º de artículo de Mouser 757-TJ8S06M3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104 Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	1,500En existencias 2,000Se espera el 16/4/2027	Cinta cortada $1.93 $0.92 $0.822 $0.65 $0.629 Envase tipo carrete $0.526 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	60 V	8 A	104 mOhms	- 20 V, 10 V	2 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	27 W	Enhancement	AEC-Q100	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W TPC8125,LQ(S Toshiba 1: $1.15 4,863En existencias	N.º de artículo del Fabricante TPC8125,LQ(S N.º de artículo de Mouser 757-TPC8125LQS	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	4,863En existencias	Cinta cortada $1.15 $0.531 $0.47 $0.394 Envase tipo carrete $0.304 Ver $0.393 $0.253 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	SOP-8	P-Channel	1 Channel	30 V	10 A	17 mOhms	- 25 V, 20 V	2 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	1.9 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -9A 1.9W TPC8129,LQ(S Toshiba 1: $1.09 3,157En existencias	N.º de artículo del Fabricante TPC8129,LQ(S N.º de artículo de Mouser 757-TPC8129LQS	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -9A 1.9W Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	3,157En existencias	Cinta cortada $1.09 $0.501 $0.444 $0.342 Envase tipo carrete $0.264 Ver $0.336 $0.24 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	SOP-8	P-Channel	1 Channel	30 V	9 A	28 mOhms	- 25 V, 20 V	2 V	39 nC		+ 150 C	1.9 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W TPC8133,LQ(S Toshiba 1: $1.30 1,823En existencias	N.º de artículo del Fabricante TPC8133,LQ(S N.º de artículo de Mouser 757-TPC8133LQS	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	1,823En existencias	Cinta cortada $1.30 $0.607 $0.539 $0.438 Envase tipo carrete $0.337 $0.302 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	SOP-8	P-Channel	1 Channel	40 V	9 A	18 mOhms						1.9 W			U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI TPH1R712MD,L1Q Toshiba 1: $2.57 524En existencias 20,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante TPH1R712MD,L1Q N.º de artículo de Mouser 757-TPH1R712MDL1Q	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	524En existencias 20,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: TPH1R712MD,L1Q Existencias: 524 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 5,000 Se espera el 20/11/2026 15,000 Se espera el 15/1/2027 Plazo de entrega de fábrica: 24 Semanas	Cinta cortada $2.57 $1.43 $1.13 $0.899 Ver Envase tipo carrete $0.724 $0.897 $0.817 $0.724 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SOP-8	P-Channel	1 Channel	20 V	60 A	1.7 mOhms	12 V	500 mV	182 nC	- 55 C	+ 150 C	78 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF SSM6J215FE(TE85L,F Toshiba 1: $0.61 11En existencias 4,000Se espera el 20/11/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM6J215FE(TE85L,F N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J215FETE85LF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	11En existencias 4,000Se espera el 20/11/2026	Cinta cortada $0.61 $0.273 $0.24 $0.181 Envase tipo carrete $0.132 Ver $0.175 $0.114 $0.105 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	ES6-6	P-Channel	1 Channel	20 V	3.4 A	154 mOhms	8 V	1 V	10.4 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS SSM3J328R,LF Toshiba 1: $0.51 415,430En pedido	N.º de artículo del Fabricante SSM3J328R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J328RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	415,430En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SSM3J328R,LF Existencias: 0 En pedido: 16,430 Se espera el 27/11/2026 399,000 Se espera el 11/1/2027 Plazo de entrega de fábrica: 20 Semanas	Cinta cortada $0.51 $0.226 $0.198 $0.148 Envase tipo carrete $0.11 Ver $0.142 $0.102 $0.091 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	P-Channel	1 Channel	20 V	6 A	29.8 mOhms	8 V	300 mV	12.8 nC		+ 150 C	1 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V SSM3J168F,LF Toshiba 1: $0.87 35,785Se espera el 13/11/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM3J168F,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J168FLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	35,785Se espera el 13/11/2026	Cinta cortada $0.87 $0.609 $0.385 $0.238 Envase tipo carrete $0.156 Ver $0.175 $0.135 $0.118 $0.096 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-346-3	P-Channel	1 Channel	60 V	400 mA	1.3 Ohms	- 20 V, 10 V	2 V	3 nC	- 55 C	+ 150 C	1.2 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel