|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
- STD12N60DM6
- STMicroelectronics
-
1:
$2.95
-
2,358En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
2,358En existencias
|
|
|
$2.95
|
|
|
$1.50
|
|
|
$1.31
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.986
|
|
|
$0.932
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
- STF13N95K3
- STMicroelectronics
-
1:
$8.08
-
956En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF13N95K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
|
|
956En existencias
|
|
|
$8.08
|
|
|
$4.37
|
|
|
$4.01
|
|
|
$3.38
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.22
|
|
|
$3.21
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMOS SINGLE P-CHANNL 20V 10A
- DMP2022LSS-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$1.29
-
9,543En existencias
-
12,500Se espera el 27/8/2026
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMP2022LSS-13
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMOS SINGLE P-CHANNL 20V 10A
|
|
9,543En existencias
12,500Se espera el 27/8/2026
|
|
|
$1.29
|
|
|
$0.60
|
|
|
$0.531
|
|
|
$0.531
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 260
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -10A MOSFET
- RRH100P03TB1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.57
-
2,001En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RRH100P03TB1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -10A MOSFET
|
|
2,001En existencias
|
|
|
$2.57
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.904
|
|
|
$0.752
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.862
|
|
|
$0.679
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
- RD3P01BATTL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.89
-
2,358En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RD3P01BATTL1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
|
|
2,358En existencias
|
|
|
$1.89
|
|
|
$0.905
|
|
|
$0.798
|
|
|
$0.638
|
|
|
$0.524
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.599
|
|
|
$0.514
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp
- IRF740ASPBF
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.19
-
5,159En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
844-IRF740ASPBF
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp
|
|
5,159En existencias
|
|
|
$3.19
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.20
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.16
|
|
|
$1.12
|
|
|
$1.11
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3E
- CSD87503Q3ET
- Texas Instruments
-
1:
$1.69
-
986En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
595-CSD87503Q3ET
|
Texas Instruments
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3E
|
|
986En existencias
|
|
|
$1.69
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.94
|
|
|
$0.94
|
|
|
$0.885
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.854
|
|
|
$0.843
|
|
|
$0.771
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
250
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Common Drain N-Channel 2.5 V PowerTrench WL-CSP MOSFET
- FDZ1323NZ
- onsemi
-
1:
$1.69
-
8,816En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDZ1323NZ
NRND
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Common Drain N-Channel 2.5 V PowerTrench WL-CSP MOSFET
|
|
8,816En existencias
|
|
|
$1.69
|
|
|
$0.799
|
|
|
$0.713
|
|
|
$0.56
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.438
|
|
|
$0.511
|
|
|
$0.467
|
|
|
$0.438
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER TRS1 HV-MOS TO220FP MOS AP5H POWER
- RJK5035DPP-A0#T2
- Renesas Electronics
-
1:
$3.36
-
869En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
968-RJK5035DPP-A0#T2
|
Renesas Electronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER TRS1 HV-MOS TO220FP MOS AP5H POWER
|
|
869En existencias
|
|
|
$3.36
|
|
|
$2.16
|
|
|
$1.88
|
|
|
$1.60
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.53
|
|
|
$1.39
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPL60R365P7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.75
-
4,532En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R365P7AUMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
4,532En existencias
|
|
|
$2.75
|
|
|
$1.78
|
|
|
$1.22
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.912
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.995
|
|
|
$0.843
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A
- IRFZ10PBF
- Vishay / Siliconix
-
1:
$2.33
-
644En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
844-IRFZ10PBF
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A
|
|
644En existencias
|
|
|
$2.33
|
|
|
$1.31
|
|
|
$0.996
|
|
|
$0.808
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.766
|
|
|
$0.74
|
|
|
$0.73
|
|
|
$0.709
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp
- IRF740STRRPBF
- Vishay Semiconductors
-
1:
$4.15
-
207En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
844-IRF740STRRPBF
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp
|
|
207En existencias
|
|
|
$4.15
|
|
|
$2.71
|
|
|
$1.97
|
|
|
$1.52
|
|
|
$1.47
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.44
|
|
|
$1.43
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
- IXTP10N60P
- IXYS
-
1:
$6.20
-
241En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTP10N60P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
|
|
241En existencias
|
|
|
$6.20
|
|
|
$4.06
|
|
|
$2.98
|
|
|
$2.53
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 24 mOhm typ., 10 A STripFET F7 Power MOSFET in
- STL38DN6F7AG
- STMicroelectronics
-
1:
$1.82
-
2,840En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL38DN6F7AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 24 mOhm typ., 10 A STripFET F7 Power MOSFET in
|
|
2,840En existencias
|
|
|
$1.82
|
|
|
$1.14
|
|
|
$0.751
|
|
|
$0.596
|
|
|
$0.476
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.53
|
|
|
$0.465
|
|
|
$0.448
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
- STB12N60DM2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$3.69
-
198En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB12N60DM2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
|
|
198En existencias
|
|
|
$3.69
|
|
|
$2.17
|
|
|
$1.69
|
|
|
$1.33
|
|
|
$1.25
|
|
|
$1.23
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power MOSFET
- IXTY10P15T
- IXYS
-
1:
$6.01
-
350En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTY10P15T
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power MOSFET
|
|
350En existencias
|
|
|
$6.01
|
|
|
$3.94
|
|
|
$2.75
|
|
|
$2.28
|
|
|
$2.27
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
- STF10NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$3.89
-
738En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF10NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
|
|
738En existencias
|
|
|
$3.89
|
|
|
$2.28
|
|
|
$2.03
|
|
|
$1.74
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.61
|
|
|
$1.57
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
- DMTH8012LPSQ-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$1.64
-
2,594En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH8012LPSQ-13
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
|
|
2,594En existencias
|
|
|
$1.64
|
|
|
$0.771
|
|
|
$0.686
|
|
|
$0.686
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 190
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
- IXFH10N80P
- IXYS
-
1:
$7.94
-
280En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH10N80P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
|
|
280En existencias
|
|
|
$7.94
|
|
|
$4.19
|
|
|
$3.71
|
|
|
$3.56
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
- RRS100P03HZGTB
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.95
-
2,455En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RRS100P03HZGTB
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
|
|
2,455En existencias
|
|
|
$2.95
|
|
|
$1.46
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.887
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.817
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET
- IRF740LCPBF-BE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$4.30
-
896En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-IRF740LCPBF-BE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET
|
|
896En existencias
|
|
|
$4.30
|
|
|
$2.19
|
|
|
$1.96
|
|
|
$1.63
|
|
|
$1.58
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 360MOHM TO-220F
- NTPF360N65S3H
- onsemi
-
1:
$4.37
-
769En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NTPF360N65S3H
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 360MOHM TO-220F
|
|
769En existencias
|
|
|
$4.37
|
|
|
$2.25
|
|
|
$1.84
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
- CGHV60075D5-GP4
- MACOM
-
Disponibilidad restringida
|
N.º de artículo de Mouser
941-CGHV60075D
|
MACOM
|
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
- PJMB390N65EC_R2_00601
- Panjit
-
1:
$2.21
-
790En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
241-PJMB390N65ER2601
|
Panjit
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
|
|
790En existencias
|
|
|
$2.21
|
|
|
$1.42
|
|
|
$0.958
|
|
|
$0.945
|
|
|
$0.881
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
- STF13N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.75
-
970En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF13N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
|
|
970En existencias
|
|
|
$2.75
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.927
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.912
|
|
|
$0.891
|
|
|
$0.789
|
|
|
$0.778
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|