FDPC8011S Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench
Hoja de datos
1,740En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 110
: 3,000

Si SMD/SMT Power-33-8 N-Channel 2 Channel 25 V 13 A 7.3 mOhms - 12 V, 12 V 800 mV, 1.1 V 19 nC, 64 nC - 55 C + 150 C 1.6 W, 2 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi FDPC8011S-AU01
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Asymmetric Dual N-Channel PowerTrench Power Clip MOSFET
Hoja de datos
Si Reel, Cut Tape