|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
- 1SS302A,LF
- Toshiba
-
1:
$0.22
-
583,338En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-1SS302ALF
|
Toshiba
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
|
|
583,338En existencias
|
|
|
$0.22
|
|
|
$0.095
|
|
|
$0.083
|
|
|
$0.061
|
|
|
$0.037
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.036
|
|
|
$0.032
|
|
|
$0.026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 80V Switching High-Speed Diode
- 1SS362TE85LF
- Toshiba
-
1:
$0.30
-
41,042En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-1SS362TE85LF
|
Toshiba
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 80V Switching High-Speed Diode
|
|
41,042En existencias
|
|
|
$0.30
|
|
|
$0.133
|
|
|
$0.116
|
|
|
$0.086
|
|
|
$0.059
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.054
|
|
|
$0.047
|
|
|
$0.042
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PBSS4140DPN/SOT457/SC-74
- PBSS4140DPNF
- Nexperia
-
1:
$0.57
-
34,772En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PBSS4140DPNF
|
Nexperia
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PBSS4140DPN/SOT457/SC-74
|
|
34,772En existencias
|
|
|
$0.57
|
|
|
$0.353
|
|
|
$0.225
|
|
|
$0.169
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.10
|
|
|
$0.136
|
|
|
$0.12
|
|
|
$0.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
10,000
|
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 100 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM
- MMBD7000-E3-18
- Vishay Semiconductors
-
1:
$0.25
-
87,704En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-MMBD7000-E3-18
|
Vishay Semiconductors
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 100 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM
|
|
87,704En existencias
|
|
|
$0.25
|
|
|
$0.141
|
|
|
$0.086
|
|
|
$0.062
|
|
|
$0.035
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.054
|
|
|
$0.048
|
|
|
$0.04
|
|
|
$0.027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
10,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S
- SIZ200DT-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.89
-
13,046En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIZ200DT-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S
|
|
13,046En existencias
|
|
|
$1.89
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.764
|
|
|
$0.65
|
|
|
$0.593
|
|
|
$0.509
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
- SIZ980DT-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.33
-
2,966En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIZ980DT-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
|
|
2,966En existencias
|
|
|
$2.33
|
|
|
$1.13
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.808
|
|
|
$0.782
|
|
|
$0.685
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
- SQJ244EP-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.17
-
5,708En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ244EP-T1_GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
|
|
5,708En existencias
|
|
|
$2.17
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.937
|
|
|
$0.745
|
|
|
$0.711
|
|
|
$0.621
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Rectificadores 200V 10A TO-263 Fred Pt
- VS-MURB1020CT-M3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.20
-
7,736En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-VS-MURB1020CT-M3
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores 200V 10A TO-263 Fred Pt
|
|
7,736En existencias
|
|
|
$2.20
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.951
|
|
|
$0.756
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.695
|
|
|
$0.65
|
|
|
$0.627
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
- SIA533EDJ-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$0.95
-
72,561En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
781-SIA533EDJ-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
|
|
72,561En existencias
|
|
|
$0.95
|
|
|
$0.433
|
|
|
$0.382
|
|
|
$0.293
|
|
|
$0.227
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.277
|
|
|
$0.219
|
|
|
$0.199
|
|
|
$0.196
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
- ECH8695R-TL-W
- onsemi
-
1:
$1.29
-
12,178En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-ECH8695R-TL-W
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
|
|
12,178En existencias
|
|
|
$1.29
|
|
|
$0.597
|
|
|
$0.466
|
|
|
$0.386
|
|
|
$0.315
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.36
|
|
|
$0.291
|
|
|
$0.286
|
|
|
$0.269
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) NCH+NCH J-FET
- NSVJ5908DSG5T1G
- onsemi
-
1:
$1.39
-
15,045En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NSVJ5908DSG5T1G
|
onsemi
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) NCH+NCH J-FET
|
|
15,045En existencias
|
|
|
$1.39
|
|
|
$0.648
|
|
|
$0.545
|
|
|
$0.545
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 220
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SC88 20V 630MA 375MO
- NVJD4401NT1G
- onsemi
-
1:
$0.94
-
9,854En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NVJD4401NT1G
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SC88 20V 630MA 375MO
|
|
9,854En existencias
|
|
|
$0.94
|
|
|
$0.431
|
|
|
$0.381
|
|
|
$0.292
|
|
|
$0.226
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.208
|
|
|
$0.192
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
- NVMFD5C470NT1G
- onsemi
-
1:
$3.00
-
2,865En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C470NT1G
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
|
|
2,865En existencias
|
|
|
$3.00
|
|
|
$1.49
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.966
|
|
|
$0.966
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS GP XSTR DUAL 45V
- SBC847BPDW1T1G
- onsemi
-
1:
$0.30
-
87,973En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-SBC847BPDW1T1G
|
onsemi
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS GP XSTR DUAL 45V
|
|
87,973En existencias
|
|
|
$0.30
|
|
|
$0.183
|
|
|
$0.114
|
|
|
$0.084
|
|
|
$0.074
|
|
|
$0.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
Rectificadores 200V, Dual, 10A Ultra-Low Qrr IC
- LQA20N200C
- Power Integrations
-
1:
$1.55
-
2,327En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
903-LQA20N200C
|
Power Integrations
|
Rectificadores 200V, Dual, 10A Ultra-Low Qrr IC
|
|
2,327En existencias
|
|
|
$1.55
|
|
|
$1.33
|
|
|
$1.24
|
|
|
$1.09
|
|
|
$0.909
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.996
|
|
|
$0.99
|
|
|
$0.908
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Módulos de Diodos SIC SBD 1200 V 100 A Dual Parallel SOT-227
- MSC2X101SDA120J
- Microchip Technology
-
1:
$87.94
-
133En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-MSC2X101SDA120J
|
Microchip Technology
|
Módulos de Diodos SIC SBD 1200 V 100 A Dual Parallel SOT-227
|
|
133En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
- FDMT80080DC
- onsemi
-
1:
$6.83
-
2,503En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDMT80080DC
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
|
|
2,503En existencias
|
|
|
$6.83
|
|
|
$4.18
|
|
|
$3.02
|
|
|
$3.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120
:
3,000
|
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja High Conductance Low Leakage
- MMBD1503A-D87Z
- onsemi
-
1:
$0.57
-
86,615En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-MMBD1503AD87Z
|
onsemi
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja High Conductance Low Leakage
|
|
86,615En existencias
|
|
|
$0.57
|
|
|
$0.299
|
|
|
$0.238
|
|
|
$0.171
|
|
|
$0.171
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 790
:
10,000
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky Super Barrier Rectif
- SBR15U100CTLQ-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$2.05
-
5,010En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-SBR15U100CTLQ-13
|
Diodes Incorporated
|
Rectificadores y diodos Schottky Super Barrier Rectif
|
|
5,010En existencias
|
|
|
$2.05
|
|
|
$0.958
|
|
|
$0.706
|
|
|
$0.706
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 130
:
2,500
|
|
|
|
|
Módulos IGBT IGBT Module 1200A 1700V
- DD1200S17H4_B2
- Infineon Technologies
-
1:
$788.48
-
4En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
641-DD1200S17H4_B2
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT IGBT Module 1200A 1700V
|
|
4En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
- BSL316C H6327
- Infineon Technologies
-
1:
$0.99
-
45,384En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSL316CH6327
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
|
|
45,384En existencias
|
|
|
$0.99
|
|
|
$0.706
|
|
|
$0.439
|
|
|
$0.303
|
|
|
$0.225
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.255
|
|
|
$0.197
|
|
|
$0.181
|
|
|
$0.157
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_55/60V
- IPG20N06S4L11AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.54
-
2,595En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S4L11AAT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_55/60V
|
|
2,595En existencias
|
|
|
$2.54
|
|
|
$1.24
|
|
|
$1.12
|
|
|
$0.891
|
|
|
$0.694
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.848
|
|
|
$0.802
|
|
|
$0.665
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Rectificadores 45 Amps 1600V
- DSP45-16AR
- IXYS
-
1:
$13.10
-
212En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-DSP45-16AR
|
IXYS
|
Rectificadores 45 Amps 1600V
|
|
212En existencias
|
|
|
$13.10
|
|
|
$9.15
|
|
|
$9.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET
- QH8JC5TCR
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.93
-
20,674En existencias
-
15,000Se espera el 5/10/2026
|
N.º de artículo de Mouser
755-QH8JC5TCR
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET
|
|
20,674En existencias
15,000Se espera el 5/10/2026
|
|
|
$1.93
|
|
|
$0.922
|
|
|
$0.805
|
|
|
$0.652
|
|
|
$0.525
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.615
|
|
|
$0.471
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen
- SCS220AE2GC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
$10.83
-
561En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCS220AE2GC11
|
ROHM Semiconductor
|
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen
|
|
561En existencias
|
|
|
$10.83
|
|
|
$5.97
|
|
|
$5.52
|
|
|
$5.22
|
|
|
$4.79
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
