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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
- DMT26M0LDG-7
- Diodes Incorporated
-
1:
$2.10
-
776En existencias
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N.º de artículo de Mouser
621-DMT26M0LDG-7
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Diodes Incorporated
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
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776En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 30V P-Chnl UMOS
- ZXMP3A17DN8TA
- Diodes Incorporated
-
1:
$2.37
-
3,183En existencias
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N.º de artículo de Mouser
522-ZXMP3A17DN8TA
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Diodes Incorporated
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 30V P-Chnl UMOS
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3,183En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRNSISTR 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
- SH8K12TB1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.99
-
1,091En existencias
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N.º de artículo de Mouser
755-SH8K12TB1
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ROHM Semiconductor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRNSISTR 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
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1,091En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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Módulos IGBT IGBT Module 200A 1700V
- FF200R17KE4
- Infineon Technologies
-
1:
$174.90
-
28En existencias
-
30Se espera el 11/3/2027
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N.º de artículo de Mouser
641-FF200R17KE4
|
Infineon Technologies
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Módulos IGBT IGBT Module 200A 1700V
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28En existencias
30Se espera el 11/3/2027
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
- NSV20200DMTWTBG
- onsemi
-
1:
$1.28
-
5,984En existencias
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N.º de artículo de Mouser
863-NSV20200DMTWTBG
|
onsemi
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
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5,984En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TISON-8
- BSC0925ND
- Infineon Technologies
-
1:
$1.94
-
6,510En existencias
-
NRND
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N.º de artículo de Mouser
726-BSC0925ND
NRND
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TISON-8
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6,510En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
- HP8ME5TB1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.13
-
10,422En existencias
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N.º de artículo de Mouser
755-HP8ME5TB1
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ROHM Semiconductor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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10,422En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel(Dual) -40V Low Noise
- IFN146
- InterFET
-
1:
$23.60
-
280En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IFN146
N.º de artículo de Mouser
106-IFN146
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InterFET
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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel(Dual) -40V Low Noise
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280En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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Diodos PIN Fast SMT MRI Protect PIN Diode 30ns
- MML4403-GM3
- Microchip Technology
-
1:
$7.49
-
454En existencias
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N.º de artículo de Mouser
494-MML4403-GM3
|
Microchip Technology
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Diodos PIN Fast SMT MRI Protect PIN Diode 30ns
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454En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII
- STL8DN6LF3
- STMicroelectronics
-
1:
$2.53
-
3,249En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STL8DN6LF3
|
STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII
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3,249En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD87335Q3D
- CSD87335Q3DT
- Texas Instruments
-
1:
$3.05
-
8,140En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
595-CSD87335Q3DT
|
Texas Instruments
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD87335Q3D
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8,140En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
250
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3ET
- CSD87503Q3E
- Texas Instruments
-
1:
$2.29
-
5,408En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
595-CSD87503Q3E
|
Texas Instruments
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3ET
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5,408En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
- DMC31D5UDJ-7B
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.84
-
18,000En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMC31D5UDJ-7B
|
Diodes Incorporated
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
|
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18,000En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
10,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
- DMT10H017LPD-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$2.57
-
2,447En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H017LPD-13
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
|
|
2,447En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
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Módulos IGBT 1700 V, 1500 A dual IGBT module
- FF1500R17IP5BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1,168.69
-
5En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF1500R17IP5BPSA
|
Infineon Technologies
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Módulos IGBT 1700 V, 1500 A dual IGBT module
|
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5En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
- IPG20N10S436AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.22
-
5,921En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S436AATM
|
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
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5,921En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
- IPG20N10S4L-35
- Infineon Technologies
-
1:
$2.16
-
4,795En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L-35
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
|
|
4,795En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
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Rectificadores y diodos Schottky 45V 2X59A
- DSS2X61-0045A
- Littelfuse
-
1:
$32.70
-
89En existencias
-
10Se espera el 16/12/2027
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N.º de artículo de Mouser
747-DSS2X61-0045A
|
Littelfuse
|
Rectificadores y diodos Schottky 45V 2X59A
|
|
89En existencias
10Se espera el 16/12/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
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Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL SIC SKY
- SCS240AE2GC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
$16.37
-
495En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCS240AE2GC11
|
ROHM Semiconductor
|
Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL SIC SKY
|
|
495En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
|
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|
Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY
- SCS240KE2HRC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
$27.15
-
1,009En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCS240KE2HRC11
|
ROHM Semiconductor
|
Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY
|
|
1,009En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, 30V Nch+Nch Power MOSFET
- SH8KA2TB1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.14
-
2,561En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SH8KA2TB1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, 30V Nch+Nch Power MOSFET
|
|
2,561En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
- SP8K32HZGTB
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.42
-
2,180En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SP8K32HZGTB
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
|
|
2,180En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
- SP8M4HZGTB
- ROHM Semiconductor
-
1:
$3.25
-
2,585En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SP8M4HZGTB
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
|
|
2,585En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
- 1SS302A,LF
- Toshiba
-
1:
$0.22
-
572,332En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-1SS302ALF
|
Toshiba
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
|
|
572,332En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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|
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 100 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM
- MMBD7000-E3-18
- Vishay Semiconductors
-
1:
$0.25
-
86,573En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-MMBD7000-E3-18
|
Vishay Semiconductors
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 100 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM
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|
86,573En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
10,000
|
|
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