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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
IXYS IGBTs 1700V/58A High Volt 269En existencias
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IXYS IGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT 271En existencias
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IXYS IGBTs XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT 393En existencias
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IXYS IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT 553En existencias
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IXYS IGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT Copacked 174En existencias
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IXYS Módulos SCR MOD THYRISTOR SGL 1200V 55En existencias
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IXYS Módulos de Tiristores 50 Amps 1600V 95En existencias
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IXYS Módulos de Tiristores 62 Amps 1200V 269En existencias
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IXYS Módulos SCR 37 Amps 800V 56En existencias
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IXYS R0929LC12A
IXYS Módulos SCR 1200V Gate Thyristor 929A 5Vr 30w 6En existencias
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IXYS Rectificadores Phase Control Thyristor 10En existencias
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IXYS Rectificadores 800V 10A Rect ISO TO220 348En existencias
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IXYS Rectificadores 600V 15A 867En existencias
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IXYS IXGQ85N33PCD1
IXYS IGBTs 340 Amps 330V 286En existencias
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IXYS Rectificadores Phase Control Thyristor 13En existencias
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IXYS Rectificadores 14En existencias
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IXYS Rectificadores 40 Amps 300V 1,879En existencias
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: 800

IXYS IGBTs Disc IGBT SMPD Pkg-Standard SMPD-B 266En existencias
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IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja HiPerFRED 1,025En existencias
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: 800


IXYS IGBTs TO247 1200V 60A IGBT 86En existencias
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IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 30A 2X 400V ISOPLUS220 20En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 14A 130En existencias
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IXYS IGBTs High Voltage IGBTs 1En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds 116En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.500 Rds 211En existencias
90Se espera el 15/12/2026
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