Si Semiconductores

Resultados: 63,914
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Atmosic Technologies System on a Chip (SoC) RF ATM34 SoC, 4x4 BGA,93balls, 2.5M NVM SR (Small Reel) 525En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V 7,388En existencias
5,000Se espera el 8/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V 3,191En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Qorvo Amplificador de RF 2W 2-6GHz MMIC PA 18En existencias
50Se espera el 6/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H 2,508En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 3,580En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 4,339En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications 3,518En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 1,906En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 690En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Infineon Technologies Módulos IGBT EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7/4 and emitter controlled 7 diode and NTC 54En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE 666En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 67
: 800



onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM 945En existencias
1,500Se espera el 29/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 245
: 1,500

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL 828En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 83
: 1,500

Nordic Semiconductor System on a Chip (SoC) RF Ultra-low power SOC + advanced security features, a range of peripherals & multiprotocol 2.4 GHz transceiver 181En existencias
12,000Se espera el 5/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 6,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 1,925En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V 352En existencias
10,000Se espera el 25/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 1,572En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000
CML Micro Sintonizadores Low Power Software Defined Radio (SDR) Tuner 148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 100
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 5,940En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 4,930En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 202En existencias
800Se espera el 19/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,600
STMicroelectronics Controladores de puertas Quad half-bridge gate driver 700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56 2,065En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 207
: 3,000