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ADPA1112AEJZ

Name: Analog Devices Inc. ADPA1112AEJZ
Brand: Analog Devices
SKU: 584-ADPA1112AEJZ
Price: 1206.79 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

584-ADPA1112AEJZ

Fabricante N.º:

ADPA1112AEJZ

Fabricante:

Analog Devices

Descripción:

Amplificador de RF 1-22GHz 15W PA

Hoja de datos:

ADPA1112AEJZ Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Analog Devices Inc.
Categoría de producto:	Amplificador de RF
Restricciones de envío:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	1 GHz to 22 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	28 V
Ganancia:	23 dB
Tipo:	Power Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LDCC-14
Tecnología:	GaN
OIP3: punto de intersección de tercer orden:	46 dBm
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	ADPA1112
Empaquetado:	Tray
Marca:	Analog Devices
Pérdida de retorno de entrada:	10 dB
Número de canales:	1 Channel
Dp - Disipación de potencia :	56.9 W
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	136
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits

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Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: 3A001.b.2.c

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: Estados Unidos
País de difusión:: Estados Unidos

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

ADPA1112 GaN Power Amplifiers

Analog Devices ADPA1112 Gallium Nitride (GaN) Power Amplifiers are 15W, 1GHz to 22GHz wideband power amplifiers. The ADI ADPA1112 amplifiers feature a saturated output power (P_OUT) of 42dBm, power added efficiency (PAE) of 25%, and a power gain of 14dB typical from 8GHz to 16GHz at input power (P_IN) of 28.0dBm. The RF input and RF output are internally matched and AC-coupled. A drain bias voltage (V_DD) of 28V is applied to the VDD1 and VDD2 pins, which have integrated bias inductors. The drain current is set by applying a negative voltage to the VGG1 pin. A temperature-compensated RF detector is integrated, allowing monitoring of the RF output power. These GaN-processed devices operate within a -40°C to +85°C range.