TO-3P-3 Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.025 Rds 148En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds 128En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ 209En existencias
600Se espera el 10/12/2026
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BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3


Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V 228En existencias
300Se espera el 16/11/2026
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
WeEn Semiconductors Rectificadores Dual ultrafast power diode 474En existencias
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Rectifiers Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN TO-3P POWER TRANS 76En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3) 4En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds 12En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 230V 15A
25,349En pedido
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3

Taiwan Semiconductor Rectificadores 50ns, 30A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier 319En existencias
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Rectifiers Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
537En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 500V
300Se espera el 2/12/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 15A
1,600Se espera el 16/11/2026
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200 W BETA AUDIO
2,991En pedido
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Máx.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 230V 15A
4,461En pedido
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
IXYS SCR Power Thyristor Discretes-SCR TO-3P (3)
26Se espera el 19/3/2027
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SCRs Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 50 Amp 800 Volt Plazo de entrega 16 Semanas
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SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 20 Amps 600V No en existencias
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Small Signal Switching Diodes Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 400V Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
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Small Signal Switching Diodes Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3) No en existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3) No en existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3