TO-3P-3 Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

Cambiar Vista por categorías
Resultados: 138
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds 292En existencias
300Se espera el 28/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds 263En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 2,519En existencias
3,600Se espera el 14/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 2,023En existencias
2,825Se espera el 15/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W 1,483En existencias
3,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W 2,784En existencias
1,530Se espera el 11/6/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W TO-3P PNP 5,665En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W PNP 719En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W NPN 955En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ 283En existencias
625Se espera el 21/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ 221En existencias
600Se espera el 22/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3


Toshiba IGBTs 600V/30A DIS 134En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 50 Amp 1200 Volt 73En existencias
4,200En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 40 Amp 600 Volt 59En existencias
3,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 120 Amps 300V 28En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Small Signal Switching Diodes Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 200V 8En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Small Signal Switching Diodes Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 300V 9En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Small Signal Switching Diodes Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 400V 30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Small Signal Switching Diodes Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds 69En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds 220En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds 34En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds 412En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds 366En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET 130En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds 164En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3