Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 18

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPT017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $8.30 4,762En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT017N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT017N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	4,762En existencias	Cinta cortada $8.30 $5.84 $4.73 $4.20 $3.98 Envase tipo carrete $3.72 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	120 V	331 A	1.7 mOhms	20 V	2.6 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC037N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.78 10,522En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC037N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC037N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	10,522En existencias	Cinta cortada $4.78 $2.48 $2.25 $1.94 Ver Envase tipo carrete $1.70 $1.87 $1.80 $1.70	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8FL	N-Channel	1 Channel	120 V	163 A	3.7 mOhms	20 V	3.6 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPP022N12NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: $8.25 1,309En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP022N12NM6AKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP022N12NM6AKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	1,309En existencias	$8.25 $4.59 $4.22 $3.60	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	120 V	203 A	2.6 mOhms	20 V	3.1 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPTC017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $8.62 1,501En existencias 12,600En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPTC017N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC017N12NM6ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	1,501En existencias 12,600En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPTC017N12NM6ATMA1 Existencias: 1,501 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 5,400 Se espera el 12/11/2026 7,200 Se espera el 19/11/2026 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $8.62 $4.69 $4.31 $4.24 $4.01 Envase tipo carrete $4.01	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	120 V	331 A	1.7 mOhms	20 V	3.6 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC032N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.08 2,581En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC032N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC032N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	2,581En existencias	Cinta cortada $5.08 $2.63 $2.39 $2.26 $2.14 Envase tipo carrete $1.97	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	170 A	9 mOhms	20 V	1.7 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	211 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC073N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.40 6,281En existencias 10,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC073N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC073N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	6,281En existencias 10,000En pedido	Cinta cortada $3.40 $1.70 $1.54 $1.25 $1.23 Envase tipo carrete $1.23 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	86 A	7.3 mOhms	20 V	2.2 V	14.4 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC078N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.35 4,105En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC078N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC078N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	4,105En existencias	Cinta cortada $3.35 $1.67 $1.51 $1.23 Ver Envase tipo carrete $1.12 $1.21 $1.16 $1.12 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SuperSO-8	N-Channel	1 Channel	120 V	85 A	7.8 mOhms	20 V	3.1 V	21 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC104N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.60 11,443En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC104N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC104N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	11,443En existencias	Cinta cortada $2.60 $1.28 $1.11 $0.916 Ver Envase tipo carrete $0.733 $0.876 $0.811 $0.733 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 5,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	63 A	10.4 mOhms	20 V	2.2 V	10.4 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC110N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.46 4,306En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC110N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC110N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	4,306En existencias	Cinta cortada $2.46 $1.20 $1.08 $0.858 Ver Envase tipo carrete $0.736 $0.831 $0.806 $0.736	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SuperSO-8	N-Channel	1 Channel	120 V	62 A	11 mOhms	20 V	3.1 V	15.4 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC320N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.84 10,044En existencias 10,000Se espera el 12/11/2026	N.º de artículo del Fabricante ISC320N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC320N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	10,044En existencias 10,000Se espera el 12/11/2026	Cinta cortada $1.84 $0.876 $0.74 $0.608 Ver Envase tipo carrete $0.493 $0.551 $0.511 $0.493 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	24 A	15.1 mOhms	20 V	3.7 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	43 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPB022N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $8.61 332En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB022N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB022N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	332En existencias	Cinta cortada $8.61 $5.86 $4.30 $4.26 Envase tipo carrete $3.95	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3	N-Channel	1 Channel	120 V	167 A	2.5 mOhms	20 V	3.1 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPTC026N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.62 14En existencias 3,600Se espera el 12/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IPTC026N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC026N12NM6ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	14En existencias 3,600Se espera el 12/11/2026	Cinta cortada $7.62 $4.75 $3.89 $3.56 $3.23 Envase tipo carrete $3.23 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	120 V	222 A	2.6 mOhms	20 V	3.1 V	70 nC	- 55 C	+ 175 C	278 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC030N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.16 14,996En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC030N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC030N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	14,996En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC030N12NM6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 5,000 Se espera el 23/11/2026 9,996 Se espera el 23/12/2026 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $7.16 $3.80 $3.21 $2.93 Ver Envase tipo carrete $2.35 $2.82 $2.78 $2.35	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	194 A	3.7 mOhms	20 V	3.6 V	59 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISZ106N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.02 69,820Se espera el 26/11/2026	N.º de artículo del Fabricante ISZ106N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ106N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	69,820Se espera el 26/11/2026	Cinta cortada $2.02 $0.969 $0.867 $0.687 $0.664 Envase tipo carrete $0.555 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	62 A	10.6 mOhms	20 V	2.2 V	10.4 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPTG017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.68 3,570En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPTG017N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTG017N12NM6ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	3,570En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPTG017N12NM6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 1,770 Se espera el 5/11/2026 1,800 Se espera el 12/11/2026 Plazo de entrega de fábrica: 17 Semanas	Cinta cortada $7.68 $5.14 $4.13 $3.68 $3.25 Envase tipo carrete $3.25	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HSOG-8	N-Channel	1 Channel	120 V	331 A	1.7 mOhms	20 V	3.1 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISZ330N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.56 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	N.º de artículo del Fabricante ISZ330N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ330N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Cinta cortada $1.56 $0.844 $0.633 $0.511 Ver Envase tipo carrete $0.367 $0.475 $0.474 $0.367	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	24 A	33 mOhms	20 V	2.2 V	3.6 nC	- 55 C	+ 175 C	43 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Infineon Technologies IPB133N12NM6ATMA1 IPB133N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1,000: $1.23 Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPB133N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB133N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas	Envase tipo carrete $1.23 $1.20	Min.: 1,000 Mult.: 1,000 : 1,000	Si																Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Infineon Technologies IPB035N12NM6ATMA1 IPB035N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1,000: $2.67 Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPB035N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB035N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	Envase tipo carrete $2.67 $2.60	Min.: 1,000 Mult.: 1,000 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	120 V	138 A	3.5 mOhms	20 V	3.6 V	58 nC	- 55 C	+ 175 C	246 W	Enhancement		Reel

Filtros aplicados:

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