|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IPP016N08NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.54
-
1,980En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP016N08NF2SAKM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
1,980En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
196 A
|
1.6 mOhms
|
20 V
|
3.8 V
|
170 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
300 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IPT012N08NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.92
-
1,648En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N08NF2SATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
1,648En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
351 A
|
1.23 mOhms
|
20 V
|
2.2 V
|
170 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
300 W
|
Enhancement
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- IPF009N04NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.03
-
953En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPF009N04NF2SATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
953En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
302 A
|
900 uOhms
|
20 V
|
2.1 V
|
210 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
375 W
|
Enhancement
|
|
StrongIRFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IPF014N08NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.90
-
4,246En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPF014N08NF2SATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
4,246En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
282 A
|
1.4 mOhms
|
20 V
|
2.2 V
|
170 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
300 W
|
Enhancement
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
- ISC019N03L5SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.89
-
6,300En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC019N03L5SATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
|
|
6,300En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-FL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
100 A
|
1.9 mOhms
|
20 V
|
1.2 V
|
22 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
69 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS ~ StrongIRFET
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
- IRFH8318TRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$1.16
-
3,918En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRFH8318TRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
|
|
3,918En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PQFN-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
120 A
|
4.6 mOhms
|
20 V
|
1.8 V
|
41 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
3.6 W
|
Enhancement
|
|
StrongIRFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC
- IRFH8324TRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$1.08
-
3,241En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRFH8324TRPBF
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC
|
|
3,241En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PQFN-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
90 A
|
6.3 mOhms
|
20 V
|
1.8 V
|
31 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
54 W
|
Enhancement
|
|
StrongIRFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPF050N10NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.37
-
1,215En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPF050N10NF2SATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
1,215En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
117 A
|
5.05 mOhms
|
20 V
|
2.2 V
|
51 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
150 W
|
Enhancement
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
- IPD020N03LF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.65
-
8,901En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD020N03LF2SATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
|
|
8,901En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-252-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
143 A
|
2.05 mOhms
|
20 V
|
2.35 V
|
33 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
136 W
|
Enhancement
|
|
StrongIRFET
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
- ISZ028N03LF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.73
-
4,955En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ028N03LF2SATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
|
|
4,955En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
128 A
|
2.8 mOhms
|
20 V
|
2.35 V
|
27 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
83 W
|
Enhancement
|
|
StrongIRFET
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
- ISP670P06NMAXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.34
-
2,121En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISP670P06NMAXTSA
Nuevo en Mouser
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
|
|
2,121En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-4
|
P-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
6.4 A
|
67 mOhms
|
20 V
|
4 V
|
48 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
5 W
|
Enhancement
|
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET
- IRLHS6276TRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$0.94
-
7,705En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6276TRPBF
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET
|
|
7,705En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PQFN 2x2 (DFN2020)
|
N-Channel
|
2 Channel
|
20 V
|
4.5 A
|
45 mOhms
|
12 V
|
1.8 V
|
3.1 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.5 W
|
Enhancement
|
|
StrongIRFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- IPD028N06NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.16
-
714En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD028N06NF2SATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
714En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
139 A
|
2.85 mOhms
|
20 V
|
2.1 V
|
68 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
150 W
|
Enhancement
|
|
StrongIRFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
- ISP16DP10LMAXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.11
-
411En existencias
-
2,000Se espera el 25/2/2027
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISP16DP10LMAXTSA
Nuevo en Mouser
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
|
|
411En existencias
2,000Se espera el 25/2/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-4
|
P-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
3.9 A
|
67 mOhms
|
20 V
|
4 V
|
48 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
5 W
|
Enhancement
|
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPT015N10NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.62
-
3,894En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-15N10NF2SATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
3,894En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
315 A
|
1.5 mOhms
|
20 V
|
2.2 V
|
161 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
300 W
|
Enhancement
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IPD040N08NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.52
-
2,990En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD040N08NF2SATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
2,990En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
129 A
|
4 mOhms
|
20 V
|
2.2 V
|
54 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
150 W
|
Enhancement
|
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- IPP011N04NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.43
-
2,461En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP011N04NF2SAKM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
2,461En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
201 A
|
1.15 mOhms
|
20 V
|
3.4 V
|
210 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
375 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPP050N10NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.26
-
1,385En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP050N10NF2SAKM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
1,385En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
110 A
|
5 mOhms
|
20 V
|
3.8 V
|
51 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
150 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPP082N10NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.60
-
1,841En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP082N10NF2SAKM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
1,841En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
77 A
|
8.2 mOhms
|
20 V
|
3.8 V
|
28 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
100 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
- IRLB3813PBF
- Infineon Technologies
-
1:
$2.81
-
9,298En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLB3813PBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
|
|
9,298En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
260 A
|
1.95 mOhms
|
20 V
|
1.9 V
|
86 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
230 W
|
Enhancement
|
|
HEXFET
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC
- IRLHS6242TRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$1.15
-
14,361En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6242TRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC
|
|
14,361En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PQFN 2x2 (DFN2020)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
20 V
|
22 A
|
11.7 mOhms
|
12 V
|
1.1 V
|
14 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
9.6 W
|
Enhancement
|
|
StrongIRFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg
- IRLML0030TRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$0.49
-
67,387En existencias
-
84,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLML0030TRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg
|
|
67,387En existencias
84,000En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
5.3 A
|
27 mOhms
|
20 V
|
1.3 V
|
2.6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.3 W
|
Enhancement
|
|
HEXFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg
- IRLML0040TRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$0.52
-
65,629En existencias
-
228,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLML0040TRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg
|
|
65,629En existencias
228,000En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
3.6 A
|
78 mOhms
|
16 V
|
2.5 V
|
2.6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.3 W
|
Enhancement
|
|
HEXFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
- IRLR8726TRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$1.63
-
11,858En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLR8726TRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
|
|
11,858En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
86 A
|
8 mOhms
|
20 V
|
2.35 V
|
15 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
75 W
|
Enhancement
|
|
HEXFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
- IRLTS6342TRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$0.99
-
59,928En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLTS6342TRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
|
|
59,928En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSOP-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
8.3 A
|
17.5 mOhms
|
12 V
|
1.8 V
|
11 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
2 W
|
Enhancement
|
|
HEXFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|