Automotive Brushless DC (BLDC) Motor Applications

Diodes Incorporated Automotive Brushless DC (BLDC) Motors offer improved performance, longer lifetime, reduced noise, and greater ease of use when compared to equivalent mechanical solutions. MOSFETs within the BLDC Motor Systems are typically configured in a three-phase bridge arrangement to drive the DC motor. The MOSFETs must be capable of handling start-up and stalled motor currents of up to six times the continuous current rating of the motor. The Diodes Incorporated BLDC Motors are extensively used in automotive applications such as fuel pumps, water pumps, and Anti-Lock Braking Systems (ABS), and provide additional torque for power steering systems.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 40Vrrm 1A SBR 0.425Vf 50uA
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7,981En existencias
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Máx.: 690
: 3,000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 3.0A Schotty Rect 40Vrrm 0.5Vr 0.5mA
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18,256En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 600
: 3,000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic
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3,542En existencias
Min.: 1
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Máx.: 170
: 3,000

Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch
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6,891En existencias
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: 3,000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 2.0A 100V Schottky 71Vr 40Ifsm 0.86Vf
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22,962En existencias
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Máx.: 290
: 3,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS
Hoja de datos
18,354En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 480
: 3,000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 20A TrechSBR 50Vrrm 20A 0.5Vf 0.5mA
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17,682En existencias
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Máx.: 160
: 2,500
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 7A Schottky 60Vrrm 275A 0.62Vf 1050pF
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3En existencias
80,000En pedido
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Máx.: 1,570
: 5,000
Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic SEAM5032 T&R 1K
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315En existencias
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: 1,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V
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88,515En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 840
: 2,500

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic
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5,764En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 240
: 3,000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic
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12,482En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 330
: 3,000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic
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3,813En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 400
: 3,000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic
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3,508En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 290
: 3,000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic
Hoja de datos
4,322En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 260
: 3,000
Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic
Hoja de datos
4,999En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 410
: 1,000

Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch
Hoja de datos
18,329En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 1.0A SBR 40Vrrm 28Vr 0.5Vf 0.5mA 30A
Hoja de datos
35,734En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 1,310
: 5,000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 5.0A Schottky Rec 40V 0.55V 0.5A
Hoja de datos
8,821En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 400
: 3,000
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky Schottky Rectifier
Hoja de datos
49,815En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 730
: 3,000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 2.0A Schottky Rec 40vF 0.50V 0.1mA
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12,078En existencias
9,000Se espera el 9/7/2027
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Máx.: 660
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
Hoja de datos
138,098En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
Hoja de datos
21,645En existencias
15,000Se espera el 5/2/2027
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Min.: 1
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Máx.: 720
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A
Hoja de datos
9,366En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V
Hoja de datos
47,693En existencias
51,000Se espera el 23/11/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,930
: 3,000