CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFETs

Infineon CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFETs feature a revolutionary Silicon Carbide material optimized for fly-back topologies. The SiC Trench MOSFETs offer a 12V/0V gate-source voltage compatible with most fly-back controllers.

Resultados: 3
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package 6,541En existencias
9,000En pedido
Cinta cortada
$7.65
$5.12
$4.12
$3.66
Envase tipo carrete
$3.24
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 9.8 A 450 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package 2,436En existencias
Cinta cortada
$6.80
$4.46
$3.28
$2.92
Envase tipo carrete
$2.58
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 650 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
24,945En pedido
Cinta cortada
$6.05
$3.96
$2.96
$2.48
Envase tipo carrete
$2.15
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC