|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
- IPB017N08N5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.13
-
1,868En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N08N5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
|
|
1,868En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
120 A
|
1.5 mOhms
|
20 V
|
2.2 V
|
223 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
375 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
- IPB020N08N5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.55
-
776En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N08N5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
|
|
776En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
120 A
|
2.5 mOhms
|
20 V
|
2.2 V
|
133 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
300 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
- BSZ075N08NS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.82
-
28,445En existencias
-
25,000Se espera el 14/10/2027
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ075N08NS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
|
|
28,445En existencias
25,000Se espera el 14/10/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
40 A
|
8.5 mOhms
|
20 V
|
3 V
|
24 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
69 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
- BSC009NE2LS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.30
-
14,501En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC009NE2LS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
|
|
14,501En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
25 V
|
100 A
|
1.25 mOhms
|
16 V
|
1.2 V
|
20 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
74 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
- BSC026N08NS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.57
-
7,240En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC026N08NS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
|
|
7,240En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
100 A
|
3.9 mOhms
|
20 V
|
2.2 V
|
74 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
156 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A
- BSC030N08NS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.25
-
9,866En existencias
-
55,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N08NS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A
|
|
9,866En existencias
55,000En pedido
Existencias:
9,866 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
25,000 Se espera el 28/1/2027
30,000 Se espera el 2/9/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
100 A
|
4.5 mOhms
|
20 V
|
2.2 V
|
61 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
139 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
- BSC037N08NS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.88
-
1,738En existencias
-
30,000Se espera el 10/12/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC037N08NS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
|
|
1,738En existencias
30,000Se espera el 10/12/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
100 A
|
3.7 mOhms
|
20 V
|
3.8 V
|
46 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
114 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
- BSC040N08NS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.81
-
13,737En existencias
-
5,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC040N08NS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
|
|
13,737En existencias
5,000En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
100 A
|
4 mOhms
|
20 V
|
2.2 V
|
43 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
104 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8
- BSC052N08NS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.40
-
11,908En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC052N08NS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8
|
|
11,908En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
95 A
|
7.6 mOhms
|
20 V
|
2.2 V
|
32 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
83 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8
- BSC061N08NS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.34
-
10,000En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC061N08NS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8
|
|
10,000En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
82 A
|
6.1 mOhms
|
20 V
|
2.2 V
|
27 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
74 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8
- BSC117N08NS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.86
-
19,875En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC117N08NS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8
|
|
19,875En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
49 A
|
11.7 mOhms
|
20 V
|
2.2 V
|
15 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
50 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
- BSC026NE2LS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.33
-
456En existencias
-
30,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC026NE2LS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
|
|
456En existencias
30,000En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
25 V
|
82 A
|
4 mOhms
|
16 V
|
1.2 V
|
12 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
29 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
- BSC009NE2LS5IATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.36
-
40,786En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC009NE2LS5IATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
|
|
40,786En pedido
En pedido:
30,786 Se espera el 17/12/2026
10,000 Se espera el 24/12/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
25 V
|
100 A
|
950 uOhms
|
16 V
|
1.2 V
|
36 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
74 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
- BSZ110N08NS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.06
-
30,137Se espera el 12/11/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ110N08NS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
|
|
30,137Se espera el 12/11/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
40 A
|
11 mOhms
|
20 V
|
2.2 V
|
15 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
50 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
- BSZ084N08NS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.30
-
5,000Se espera el 16/11/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ084N08NS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
|
|
5,000Se espera el 16/11/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
40 A
|
11.9 mOhms
|
20 V
|
2.2 V
|
20 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
63 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|