NVBYST0D6N08X 80V N-Channel Power MOSFET

onsemi NVBYST0D6N08X 80V N-Channel Power MOSFET offers a low QRR and soft recovery body diode in a TCPAK1012 (TopCool) package. This MOSFET has a low RDS(on) to minimize conduction losses and a low QG and capacitance to minimize driver losses. The onsemi NVBYST0D6N08X is AEC-Q101 qualified, PPAP capable, lead-free, Halogen-free/BFR-free, and RoHS-compliant. A typical application for this MOSFET is Synchronous Rectification (SR) in DC-DC and AC-DC, a primary switch in an isolated DC-DC converter, motor drives, and automotive 48V systems.

Resultados: 2
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12
Hoja de datos
4,000En pedido
Cinta cortada
$9.55
$6.73
$5.44
Envase tipo carrete
$5.44
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500
Si SMD/SMT TCPAK1012 N-Channel 1 Channel 80 V 767 A 640 uOhms 20 V 3.6 V 228 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 (FQB8)
Hoja de datos
1,119En existencias
Cinta cortada
$8.06
$5.68
$4.59
Envase tipo carrete
$4.59
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500
Si SMD/SMT DFLPAK-16 N-Channel 1 Channel 80 V 643 A 790 uOhms 20 V 3.6 V 182 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape