|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
- NVMFD5877NLWFT1G-UM
- onsemi
-
1:
$1.84
-
945En existencias
-
1,500Se espera el 29/12/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
863-FD5877NLWFT1G-UM
Nuevo producto
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
|
|
945En existencias
1,500Se espera el 29/12/2026
|
|
|
$1.84
|
|
|
$1.15
|
|
|
$0.763
|
|
|
$0.763
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 245
:
1,500
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
- MBR1060DC-AU_R2_006A1
- Panjit
-
1:
$1.18
-
6,227En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
241-MBR1060DCAUR26A1
|
Panjit
|
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
|
|
6,227En existencias
|
|
|
$1.18
|
|
|
$0.546
|
|
|
$0.484
|
|
|
$0.35
|
|
|
$0.344
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.327
|
|
|
$0.317
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
- NSVT5551DW1T1G
- onsemi
-
1:
$1.08
-
2,656En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
863-NSVT5551DW1T1G
Nuevo producto
|
onsemi
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
|
|
2,656En existencias
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.667
|
|
|
$0.439
|
|
|
$0.439
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 320
:
3,000
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
- BSM250D17P2E004
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1,140.86
-
44En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-BSM250D17P2E004
|
ROHM Semiconductor
|
Módulos MOSFET 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
|
|
44En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
- SSM6L14FE(TE85L,F)
- Toshiba
-
1:
$0.50
-
211,531En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L14FETE85LF
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
|
|
211,531En existencias
|
|
|
$0.50
|
|
|
$0.222
|
|
|
$0.194
|
|
|
$0.146
|
|
|
$0.104
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.145
|
|
|
$0.129
|
|
|
$0.09
|
|
|
$0.077
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
- PMD2001D,115
- Nexperia
-
1:
$0.51
-
184,970En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PMD2001D115
|
Nexperia
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
|
|
184,970En existencias
|
|
|
$0.51
|
|
|
$0.313
|
|
|
$0.198
|
|
|
$0.149
|
|
|
$0.111
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.133
|
|
|
$0.101
|
|
|
$0.087
|
|
|
$0.081
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
- PMP4201Y,135
- Nexperia
-
1:
$0.66
-
288,027En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PMP4201Y135
|
Nexperia
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
|
|
288,027En existencias
|
|
|
$0.66
|
|
|
$0.408
|
|
|
$0.261
|
|
|
$0.198
|
|
|
$0.119
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.16
|
|
|
$0.141
|
|
|
$0.118
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
10,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
- SIA907EDJT-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.91
-
110,643En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIA907EDJT-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
|
|
110,643En existencias
|
|
|
$1.91
|
|
|
$0.912
|
|
|
$0.815
|
|
|
$0.644
|
|
|
$0.554
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.623
|
|
|
$0.533
|
|
|
$0.514
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
- SQ1922EEH-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$0.87
-
301,476En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1922EEH-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
|
|
301,476En existencias
|
|
|
$0.87
|
|
|
$0.396
|
|
|
$0.349
|
|
|
$0.267
|
|
|
$0.206
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.18
|
|
|
$0.174
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
- SQJ208EP-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$2.22
-
71,040En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ208EP-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
|
|
71,040En existencias
|
|
|
$2.22
|
|
|
$1.41
|
|
|
$0.95
|
|
|
$0.77
|
|
|
$0.645
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.76
|
|
|
$0.621
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
- SQJ980AEP-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$1.98
-
28,792En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ980AEP-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
|
|
28,792En existencias
|
|
|
$1.98
|
|
|
$0.949
|
|
|
$0.848
|
|
|
$0.671
|
|
|
$0.583
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.653
|
|
|
$0.56
|
|
|
$0.541
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
- NCP51560BBDWR2G
- onsemi
-
1:
$3.78
-
1,220En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NCP51560BBDWR2G
|
onsemi
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
|
|
1,220En existencias
|
|
|
$3.78
|
|
|
$2.85
|
|
|
$2.60
|
|
|
$2.36
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.95
|
|
|
$2.24
|
|
|
$2.03
|
|
|
$1.95
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
- STL36DN6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.52
-
41,498En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
|
|
41,498En existencias
|
|
|
$1.52
|
|
|
$0.716
|
|
|
$0.637
|
|
|
$0.499
|
|
|
$0.391
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.498
|
|
|
$0.364
|
|
|
$0.355
|
|
|
$0.34
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
- DMG1016V-7
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.63
-
246,920En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMG1016V-7
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
|
|
246,920En existencias
|
|
|
$0.63
|
|
|
$0.297
|
|
|
$0.252
|
|
|
$0.176
|
|
|
$0.141
|
|
|
$0.097
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
- SQJQ910EL-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$3.61
-
40,493En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ910EL-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
|
|
40,493En existencias
|
|
|
$3.61
|
|
|
$1.81
|
|
|
$1.64
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
- FDMS3669S
- onsemi
-
1:
$2.77
-
42,668En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDMS3669S
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
|
|
42,668En existencias
|
|
|
$2.77
|
|
|
$1.37
|
|
|
$1.23
|
|
|
$0.984
|
|
|
$0.789
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.871
|
|
|
$0.748
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
- BAV199T-7-F
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.36
-
328,978En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-BAV199T-F
|
Diodes Incorporated
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
|
|
328,978En existencias
|
|
|
$0.36
|
|
|
$0.159
|
|
|
$0.138
|
|
|
$0.119
|
|
|
$0.107
|
|
|
$0.072
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
- SQ1539EH-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$0.87
-
139,995En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1539EH-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
139,995En existencias
|
|
|
$0.87
|
|
|
$0.396
|
|
|
$0.349
|
|
|
$0.267
|
|
|
$0.206
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.18
|
|
|
$0.174
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
- SQ3985EV-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$1.20
-
110,353En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ3985EV-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
110,353En existencias
|
|
|
$1.20
|
|
|
$0.558
|
|
|
$0.495
|
|
|
$0.383
|
|
|
$0.301
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.376
|
|
|
$0.295
|
|
|
$0.28
|
|
|
$0.274
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
- SQ4949EY-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.50
-
31,284En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ4949EY-T1_GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
|
|
31,284En existencias
|
|
|
$2.50
|
|
|
$1.22
|
|
|
$1.10
|
|
|
$0.874
|
|
|
$0.848
|
|
|
$0.744
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
- SQJ960EP-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.11
-
77,315En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ960EP-T1_GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
|
|
77,315En existencias
|
|
|
$3.11
|
|
|
$1.54
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.13
|
|
|
$1.10
|
|
|
$1.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperSOT-3
- FDC6318P
- onsemi
-
1:
$1.23
-
54,957En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDC6318P
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperSOT-3
|
|
54,957En existencias
|
|
|
$1.23
|
|
|
$0.572
|
|
|
$0.50
|
|
|
$0.50
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 260
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V/-20V N/P
- FDC6420C
- onsemi
-
1:
$1.07
-
217,741En existencias
-
159,000Se espera el 9/10/2026
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDC6420C
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V/-20V N/P
|
|
217,741En existencias
159,000Se espera el 9/10/2026
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.492
|
|
|
$0.408
|
|
|
$0.335
|
|
|
$0.309
|
|
|
$0.259
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
- 1SS226,LF
- Toshiba
-
1:
$0.23
-
788,896En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-1SS226LF
|
Toshiba
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
|
|
788,896En existencias
|
|
|
$0.23
|
|
|
$0.099
|
|
|
$0.086
|
|
|
$0.063
|
|
|
$0.04
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.037
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
- PMP4201Y,115
- Nexperia
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N.º de artículo de Mouser
771-PMP4201Y115
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Nexperia
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
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