Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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48V DC/DC Converters

Vishay 48V DC/DC Converters are used in the products that need to remain 12V battery load while 48V battery is used in the vehicles. These converters can bring down 48V-12V, so the converter is a significant application for future cars. Different topologies are made possible with these devices like multiphase coupled and non-coupled inductors. Vishay offers a broad portfolio of solutions with standard devices like MOSFETs, diodes, resistors, capacitors, inductors, and customized magnetic solutions.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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SQ1539EH-T1_GE3
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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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2 Channel

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- 20 V, 20 V

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1.4 nC, 1.6 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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TSOP-6

P-Channel

2 Channel

20 V

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1.5 V

3.1 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ4425EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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18 A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified

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2.5 V

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78-SQ1922EEH-T1_GE3

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2 Channel

20 V

840 mA

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- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

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Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
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SQ4483EY-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Enhancement

AEC-Q101

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Vishay / Siliconix
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SQ2361ES-T1_BE3

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TrenchFET

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SQ4050EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ4050EY-T1_GE3

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78-SQ4050EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V

SQ4483EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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SQ4483EY-T1_BE3

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78-SQ4483EY-T1_BE3

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Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL P-CHANNEL 30V

SQ4937EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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SQ4937EY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4937EY-T1_BE3

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30 V

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- 20 V, 20 V

2.5 V

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3.3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

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SQ4153EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: $2.19
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SQ4153EY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4153EY-T1_BE3

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SOIC-8

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12 V

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7.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30 V

SQ4425EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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SQ4425EY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30 V

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SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

18 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

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TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4064EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $1.37
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SQ4064EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4064EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 15A 5W AEC-Q101 Qualified

SQ4410EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $2.07
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N.º de artículo del Fabricante
SQ4410EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4410EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 15A 5W AEC-Q101 Qualified

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$2.07

$1.33

$0.895

$0.712

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$0.588

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

15 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

53 nC

- 55 C

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5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-CHANNEL 40 V

SQ4940AEY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo del Fabricante
SQ4940AEY-T1_BE3

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78-SQ4940AEY-T1_BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-CHANNEL 40 V

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$0.506

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$0.363

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

40 V

8 A

20 mOhms, 20 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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4 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ3481EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ3481EV-T1_GE3

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78-SQ3481EV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

7.5 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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- 55 C

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4 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150V SO-8

SQ4080EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ4080EY-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150V SO-8

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

150 V

18 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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Vishay Semiconductors
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SQ4435EY-T1_GE3

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78-SQ4435EY-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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P-Channel

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58 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V (D-S)

SQ2303ES-T1_BE3
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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.5 A

170 mOhms

- 10 V, 10 V

2.5 V

4.5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

12 V

5 A

50 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV

9 nC

- 55 C

+ 175 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQ3987EV-T1_GE3
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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

30 V

3 A

85 mOhms, 85 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.2 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 16A 7.1W AEC-Q101 Qualified

SQ4470EY-T1_GE3
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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

16 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ4483BEEY-T1_GE3
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

22 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

48V DC/DC Converters

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.2 A
2.3 A
2.5 A
2.8 A
3 A
3.2 A
3.57 A, 2.5 A
3.9 A
4.1 A
4.3 A
4.4 A
4.6 A

3.1 mOhms
3.6 mOhms
3.8 mOhms
5.1 mOhms
6.3 mOhms
7 mOhms
9 mOhms
10 mOhms
12.3 mOhms
13 mOhms
13.5 mOhms
14 mOhms
16.5 mOhms
20 mOhms, 20 mOhms
21 mOhms
21 mOhms, 56 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
24 mOhms
25 mOhms

700 pC
930 pC, 1 nC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
1.4 nC, 1.6 nC
2.3 nC
2.5 nC
2.5 nC, 3.5 nC
3.1 nC
3.4 nC
3.5 nC
3.6 nC
4.1 nC
4.5 nC
4.95 nC
5 nC
5.2 nC
5.4 nC
5.5 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
1.9 W
2 W
2.5 W
2.7 W
3 W
3.3 W
3.6 W
3.75 W
3.9 W
4 W
4.4 W
5 W
6 W
6.8 W
7 W
7.1 W
7.14 W