CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs are ideally suited for hard- and resonant-switching topologies. The Infineon 400V CoolSiC MOSFETs were specially developed for use in the AC/DC stage of AI server Power Supply Units (PSUs) and are also ideal for applications such as solar and energy storage systems. CoolSiC MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.

Resultados: 15
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1,440En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,800

SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 400 V 111 A 19.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 62 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1,388En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,800

SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 400 V 68 A 32.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
213En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 400 V 94 A 19.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 62 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
230En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 400 V 104 A 14.4 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
376En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 400 V 65 A 32.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1,352En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,800

SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 400 V 144 A 14.4 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1,800Se espera el 26/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,800

SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 400 V 43 A 56.2 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1,800Se espera el 26/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,800

SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 400 V 50 A 45.7 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 26 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
239Se espera el 26/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 400 V 112 A 14.4 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
240Se espera el 26/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 400 V 99 A 19.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 62 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
236Se espera el 26/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 400 V 40 A 56.2 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
240En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 400 V 46 A 45.7 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 26 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
240Se espera el 26/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 400 V 65 A 32.1 Ohms - 7 V, 23 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
240Se espera el 26/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 400 V 46 A 45.7 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 26 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
240En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 400 V 40 A 56.2 Ohms - 7 V, 23 V 4.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC Tube